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    2SB1148ATX 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1148ATX图片预览
    型号： 2SB1148ATX
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin]
    分类和应用： 开关
    文件页数/大小： 3 页 / 61 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB1148ATX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1148ATX的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    2SB1148 ， 2SB1148A
    PNP硅外延平面型
    用于低压开关
    补充2SD1752和2SD1752A
    单位：mm
    7.0±0.3
    3.0±0.2
    3.5±0.2
    s
    特点
    q
    q
    q
    低集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    高速开关
    I型包使散热片直接焊接到
    在印刷电路板，小型电子设备等。
    (T
    C
    =25˚C)
    评级
    –40
    –50
    –20
    –40
    –7
    –20
    –10
    15
    1.3
    150
    -55到+150
    单位
    V
    7.2±0.3
    0.8±0.2
    1.1±0.1
    0.85±0.1
    0.4±0.1
    1.0±0.2
    10.0
    –0.
    +0.3
    0.75±0.1
    2.3±0.2
    4.6±0.4
    1
    2
    3
    s
    绝对最大额定值
    参数
    集电极
    基极电压
    集电极
    2SB1148
    2SB1148A
    2SB1148
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    I型包
    3.5±0.2
    2.0±0.2
    7.0±0.3
    单位：mm
    0 〜0.15
    发射极电压2SB1148A
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极电流T
    C
    =25°C
    耗散
    Ta=25°C
    结温
    储存温度
    V
    3.0±0.2
    10.2±0.3
    7.2±0.3
    V
    A
    A
    1.0最大。
    2.5
    0.75±0.1
    0.5 MAX 。
    0.9±0.1
    0 〜0.15
    W
    ˚C
    ˚C
    1.1±0.1
    1
    2
    3
    2.3±0.2
    4.6±0.4
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    我型封装（ Y）
    s
    电气特性
    参数
    集电极截止
    当前
    发射Cuto FF电流
    集电极到发射极
    电压
    2SB1148
    2SB1148A
    2SB1148
    2SB1148A
    (T
    C
    =25˚C)
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    首席执行官
    h
    FE1
    h
    FE2
    *
    条件
    V
    CB
    = -40V ，我
    E
    = 0
    V
    CB
    = -50V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    = 0
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    = 0
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = – 0.1A
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = –3A
    I
    C
    = -10A ，我
    B
    = – 0.33A
    I
    C
    = -10A ，我
    B
    = – 0.33A
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = - 0.5A ， F = 10MHz时
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    I
    C
    = -3A ，我
    B1
    = - 0.1A ，我
    B2
    = 0.1A,
    V
    CC
    = –20V
    民
    典型值
    最大
    –50
    –50
    –50
    单位
    µA
    µA
    V
    –20
    –40
    45
    90
    260
    – 0.6
    –1.5
    100
    400
    0.1
    0.5
    0.1
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    *
    h
    FE2
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    V
    V
    兆赫
    pF
    µs
    µs
    µs
    等级分类
    Q
    90至180
    P
    130〜 260
    秩
    h
    FE2
    2.5±0.2
    1.0
    2.5±0.2
    1.0
    1

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