欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    2SB1054 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1054图片预览
    型号： 2SB1054
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅三重扩散平面型 [Silicon PNP triple diffusion planar type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 83 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB1054的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1054的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    2SB1054
    PNP硅三重扩散平面型
    对于高功率放大
    (0.7)
    单位：mm
    15.0
    ±0.3
    11.0
    ±0.2
    5.0
    ±0.2
    (3.2)
    补充2SD1485
    ■
    特点
    •
    优良的集电极电流I
    C
    正向电流的特性
    传输比H
    FE
    •
    广泛的安全工作区
    •
    高转换频率f
    T
    •
    这可以用一个可安装在散热片的全包包
    螺丝
    21.0
    ±0.5
    φ
    3.2
    ±0.1
    15.0
    ±0.2
    (3.5)
    浸焊
    2.0
    ±0.2
    1.1
    ±0.1
    2.0
    ±0.1
    0.6
    ±0.2
    ■
    绝对最大额定值
    T
    C
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    T
    a
    =
    25°C
    结温
    储存温度
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    等级
    −100
    −100
    −5
    −5
    −8
    60
    3
    150
    −55
    to
    +150
    °C
    °C
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    1
    16.2
    ±0.5
    5.45
    ±0.3
    10.9
    ±0.5
    2
    3
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    EIAJ ：SC- 92
    TOP- 3F -A1套餐
    ■
    电气特性
    T
    C
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    基射极电压
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
    正向电流传输比
    符号
    V
    BE
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE1
    h
    FE2 *
    h
    FE3
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    （共同的基础，输入开路）
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    条件
    V
    CE
    = −5
    V，I
    C
    = −3
    A
    V
    CB
    = −100
    V，I
    E
    =
    0
    V
    EB
    = −3
    V，I
    C
    =
    0
    V
    CE
    = −5
    V，I
    C
    = −20
    mA
    V
    CE
    = −5
    V，I
    C
    = −1
    A
    V
    CE
    = −5
    V，I
    C
    = −3
    A
    I
    C
    = −3
    A，I
    B
    = −
    0.3 A
    V
    CE
    = −5
    V，I
    C
    = −
    0.5 A，F
    =
    1兆赫
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    0, f
    =
    1兆赫
    20
    170
    20
    40
    20
    −2.0
    V
    兆赫
    pF
    200
    民
    典型值
    最大
    −1.8
    −50
    −50
    单位
    V
    µA
    µA
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * ：等级分类
    秩
    h
    FE2
    R
    40至80
    Q
    60至120
    P
    100至200
    出版日期： 2003年3月
    SJD00038BED
    1

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6