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    2SB0976 参数 Datasheet PDF下载

    2SB0976图片预览
    型号： 2SB0976
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 对于低频输出放大 [For Low-Frequency Output Amplification]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管开关
    文件页数/大小： 3 页 / 68 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB0976的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB0976的Datasheet PDF文件第3页  
    晶体管
    2SB0976
    (2SB976)
    PNP硅外延平面型
    对于低频输出放大
    用于DC-DC转换器
    对于频闪仪
    ■
    特点
    •
    低集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    •
    大的集电极电流I
    C
    0.7
    ±0.1
    5.0
    ±0.2
    单位：mm
    4.0
    ±0.2
    0.7
    ±0.2
    12.9
    ±0.5
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    −27
    −18
    −7
    −5
    −8
    0.75
    150
    −55
    to
    +150
    单位
    V
    V
    1
    2 3
    0.45
    +0.15
    –0.1
    2.5
    +0.6
    –0.2
    2.5
    +0.6
    –0.2
    0.45
    +0.15
    –0.1
    2.3
    ±0.2
    V
    A
    A
    W
    °C
    °C
    5.1
    ±0.2
    1 ：发射器
    2 ：收藏家
    3 ：基本
    TO- 92 -B1包装
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
    正向电流传输比
    *1, 2
    集电极 - 发射极饱和电压
    *1
    跃迁频率
    集电极输出电容
    （共同的基础，输入开路）
    符号
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    条件
    I
    C
    = −1
    妈，我
    B
    =
    0
    I
    E
    = −10 µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    0
    V
    EB
    = −5
    V，I
    C
    =
    0
    V
    CE
    = −2
    V，I
    C
    = −2
    A
    I
    C
    = −3
    A，I
    B
    = −
    0.1 A
    V
    CB
    = −6
    V，I
    E
    =
    50毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    = −20
    V，I
    E
    =
    0, f
    =
    1兆赫
    125
    −
    0.4
    120
    60
    民
    −18
    −7
    −100
    −1
    625
    −1.0
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    nA
    µA
    V
    兆赫
    pF
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * 1 ：脉冲测量
    * 2 ：等级分类
    秩
    h
    FE
    Q
    125〜 205
    R
    180〜 625
    注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
    出版日期： 2003年3月
    SJC00064BED
    1

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