晶体管
P
C
- TA
1.4
2SB956
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–1.2
Ta=25˚C
–1.0
–10
–3
–1
25˚C
Ta=75˚C
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=20
集电极耗散功率P
C
(W)
1.2
印刷circut板：铜
为1cm箔领域
2
或更多，并且
的1.7毫米板厚度
对于集电部。
集电极电流I
C
(A)
I
B
=–5.0mA
–4.5mA
–4.0mA
–3.5mA
–3.0mA
–2.5mA
–2.0mA
–1.5mA
–1.0mA
- 0.5毫安
1.0
– 0.8
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–25˚C
0.8
– 0.6
0.6
– 0.4
0.4
0.2
– 0.2
– 0.003
– 0.001
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–1
–3
–10
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
–10
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
600
V
CE
=–2V
500
450
500
f
T
— I
E
V
CB
=–6V
Ta=25˚C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
25˚C
–1
Ta=–25˚C
75˚C
过渡频率f
T
（兆赫）
–1
–3
–10
–3
正向电流传输比H
FE
400
350
300
250
200
150
100
50
400
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
300
Ta=75˚C
25˚C
200
–25˚C
100
– 0.003
– 0.001
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
0
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
0
10
30
100
300
1000
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
120
安全操作区（ ASO ）
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
10
3
单脉冲
Ta=25˚C
I
CP
t=10ms
1
I
C
t=1s
集电极输出电容C
ob
（PF ）
100
80
60
40
20
– 0.003
0
–1
– 0.001
– 0.1 – 0.3
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(A)
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
