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    2SB0942R 参数 Datasheet PDF下载

    2SB0942R图片预览
    型号： 2SB0942R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 75 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB0942R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB0942R的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    2SB0942
    (2SB942)
    ， 2SB0942A
    (2SB942A)
    PNP硅外延平面型
    对于低频功率放大
    补充2SD1267 ， 2SD1267A
    ■
    特点
    16.7
    ±0.3
    0.7
    ±0.1
    单位：mm
    10.0
    ±0.2
    5.5
    ±0.2
    4.2
    ±0.2
    4.2
    ±0.2
    2.7
    ±0.2
    •
    高正向电流传输比H
    FE
    它具有良好的线性度
    •
    大的集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    •
    这可以用一个螺钉被安装到散热器的全包包
    7.5
    ±0.2
    φ
    3.1
    ±0.1
    ■
    绝对最大额定值
    T
    C
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压
    （发射极开路）
    2SB0942
    2SB0942A
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    a
    =
    25°C
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    V
    CBO
    等级
    −60
    −80
    −60
    −80
    −5
    −4
    −8
    40
    2
    150
    −55
    to
    +150
    °C
    °C
    V
    A
    A
    W
    1 2 3
    单位
    V
    浸焊
    (4.0)
    14.0
    ±0.5
    1.4
    ±0.1
    1.3
    ±0.2
    0.5
    +0.2
    –0.1
    0.8
    ±0.1
    集电极 - 发射极电压2SB0942
    （基地开）
    2SB0942A
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极电源
    耗散
    结温
    储存温度
    V
    2.54
    ±0.3
    5.08
    ±0.5
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    EIAJ ： SC- 67
    TO- 220F -A1套餐
    ■
    电气特性
    T
    C
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 发射极电压
    （基地开）
    基射极电压
    集电极 - 发射极
    截止目前（E -B的短）
    2SB0942
    2SB0942A
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE1 *
    h
    FE2
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    2SB0942
    2SB0942A
    V
    BE
    I
    CES
    V
    CE
    = −4
    V，I
    C
    = −3
    A
    V
    CE
    = −60
    V, V
    BE
    =
    0
    V
    CE
    = −80
    V, V
    BE
    =
    0
    V
    CE
    = −30
    V，I
    B
    =
    0
    V
    EB
    = −5
    V，I
    C
    =
    0
    V
    CE
    = −4
    V，I
    C
    = −1
    A
    V
    CE
    = −4
    V，I
    C
    = −3
    A
    I
    C
    = −4
    A，I
    B
    = −
    0.4 A
    V
    CE
    = −10
    V，I
    C
    = −
    0.1 A，F
    =
    10兆赫
    I
    C
    = −4
    A，I
    B1
    = −
    0.4 A，I
    B2
    =
    0.4 A
    V
    CC
    = −50
    V
    30
    0.2
    0.5
    0.2
    40
    15
    −1.5
    V
    兆赫
    µs
    µs
    µs
    符号
    V
    首席执行官
    条件
    I
    C
    = −30
    妈，我
    B
    =
    0
    民
    −60
    −80
    −2
    −400
    −400
    −700
    −1
    250
    µA
    mA
    V
    µA
    典型值
    最大
    单位
    V
    集电极 - 发射极截止电流（基地开）
    发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
    正向电流传输比
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * ：等级分类
    秩
    h
    FE1
    R
    40〜90
    Q
    70至150
    P
    120至250
    注）括号内显示常规零件号的零件号。
    出版日期： 2003年2月
    SJD00022BED
    1

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