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2SB0792A 参数 Datasheet PDF下载

2SB0792A图片预览
型号: 2SB0792A
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SB0792A的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SB792 , 2SB792A
PNP硅外延平面型
对于高击穿电压低噪声放大
补充2SD814
2.8
–0.3
+0.2
单位:mm
s
特点
q
q
q
0.65±0.15
+0.25
1.5
–0.05
0.65±0.15
s
绝对最大额定值
(Ta=25˚C)
1.1
–0.1
+0.2
2
集电极
基极电压
集电极
2SB792
2SB792A
2SB792
–185
–150
–185
–5
–100
–50
200
150
–55 ~ +150
发射极电压2SB792A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
JEDEC : TO- 236
EIAJ : SC- 59
迷你型包装
标记符号:
I
(2SB792)
2F
(2SB792A)
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SB792
2SB792A
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
NV
条件
V
CB
= -100V ,我
E
= 0
I
C
= -100μA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
I
C
= -30μA ,我
B
= -3mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 10毫安中,f = 200MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA ,G
V
= 80分贝,
R
g
= 100kΩ的,功能= FLAT
200
4
150
–150
–185
–5
130
130
450
330
–1
V
兆赫
pF
mV
典型值
最大
–1
单位
µA
V
V
发射器基极电压
正向电流
传输比
2SB792
2SB792A
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声电压
*
h
FE
等级分类
h
FE
R
130 ~ 220
2SB792
2SB792A
IR
2FR
S
185 ~ 330
IS
2FS
T
260 ~ 450
IT
记号
符号
0-0.1
V
CBO
–150
V
为0.1〜 0.3
0.4±0.2
0.8
参数
符号
评级
单位
0.16
–0.06
+0.1
0.4
–0.05
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
低噪声电压NV 。
迷你型封装,设备,允许小型化,
通过带包装盒自动插入
包装。
0.95
2.9
–0.05
1
1.9±0.2
+0.2
0.95
3
+0.1
1.45
1