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    2SB0789 参数 Datasheet PDF下载

    2SB0789图片预览
    型号： 2SB0789
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planar type]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 3 页 / 82 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB0789的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB0789的Datasheet PDF文件第3页  
    晶体管
    2SB0789 ， 2SB0789A
    （ 2SB789 ， 2SB789A ）
    PNP硅外延平面型
    单位：mm
    对于低频驱动器放大
    ■
    特点
    •
    高集电极 - 发射极电压（基本开）V
    首席执行官
    •
    大集电极耗散功率P
    C
    4.5
    ±0.1
    1.6
    ±0.2
    1.5
    ±0.1
    4.0
    +0.25
    –0.20
    2.5
    ±0.1
    3˚
    0.4
    ±0.04
    0.4
    ±0.08
    1.5
    ±0.1
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压
    （发射极开路）
    2SB0789
    2SB0789A
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    V
    CBO
    等级
    −100
    −120
    −100
    −120
    −5
    −
    0.5
    −1
    1
    150
    −55
    to
    +150
    V
    A
    A
    W
    °C
    °C
    V
    单位
    V
    3˚
    1.0
    +0.1
    –0.2
    1
    3
    2
    0.5
    ±0.08
    45˚
    3.0
    ±0.15
    集电极 - 发射极电压2SB0789
    （基地开）
    2SB0789A
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    *
    结温
    储存温度
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    MiniP3 -F1套餐
    标记符号：
    •
    2SB0789 ：D
    •
    2SB0789A ：电子
    注）*：印刷电路板：铜箔1厘米面积
    2
    以上，板
    厚度为1.7mm的集电部。
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 发射极电压
    （基地开）
    2SB0789
    2SB0789A
    V
    EBO
    h
    FE1 * 2
    h
    FE2
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    （共同的基础，输入开路）
    *1
    *1
    符号
    V
    首席执行官
    条件
    I
    C
    = −100 µA,
    I
    B
    =
    0
    I
    E
    = −10 µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CE
    = −10
    V，I
    C
    = −150
    mA
    V
    CE
    = −5
    V，I
    C
    = −500
    mA
    I
    C
    = −500
    妈，我
    B
    = −50
    mA
    I
    C
    = −500
    妈，我
    B
    = −50
    mA
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    50毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    0, f
    =
    1兆赫
    民
    −100
    −120
    −5
    90
    50
    典型值
    最大
    单位
    V
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    正向电流传输比
    *1
    V
    220
    −
    0.2
    −
    0.85
    120
    30
    −
    0.6
    −1.20
    V
    V
    兆赫
    pF
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * 1 ：脉冲测量
    * 2 ：等级分类
    秩
    h
    FE1
    Q
    90〜 155
    R
    130至220
    注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
    出版日期： 2002年12月
    SJC00056CED
    0.4最大。
    2.6
    ±0.1
    1

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