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    2SB0788Q 参数 Datasheet PDF下载

    2SB0788Q图片预览
    型号： 2SB0788Q
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, M-A1, 3 PIN]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 70 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB0788Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB0788Q的Datasheet PDF文件第3页  
    晶体管
    2SB0788
    (2SB788)
    PNP硅外延平面型
    对于高击穿电压低噪声放大
    补充2SD0958 （ 2SD958 ）
    (0.4)
    单位：mm
    6.9
    ±0.1
    (1.5)
    (1.5)
    3.5
    ±0.1
    2.5
    ±0.1
    (1.0)
    (1.0)
    2.0
    ±0.2
    2.4
    ±0.2
    1.0
    ±0.1
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    −120
    −120
    −7
    −20
    −50
    400
    150
    −55
    to
    +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    °C
    °C
    3
    (2.5)
    2
    (2.5)
    1
    1.25
    ±0.05
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    (0.85)
    0.55
    ±0.1
    0.45
    ±0.05
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    M- A1套餐
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    集电极 - 发射极截止电流（基地开）
    正向电流传输比
    *
    集电极 - 发射极饱和电压
    噪声电压
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    NV
    条件
    I
    C
    = −10 µA,
    I
    E
    =
    0
    I
    C
    = −1
    妈，我
    B
    =
    0
    I
    E
    = −10 µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CB
    = −50
    V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    = −50
    V，I
    B
    =
    0
    V
    CE
    = −2
    V，I
    C
    = −2
    A
    I
    C
    = −20
    妈，我
    B
    = −2
    mA
    V
    CE
    = −40
    V，I
    C
    = −1
    毫安，G
    V
    =
    80分贝
    R
    g
    =
    100 kΩ的，功能
    =
    平
    180
    民
    −120
    −120
    −7
    −100
    −1
    520
    −
    0.6
    150
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    nA
    µA
    V
    mV
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * ：等级分类
    秩
    h
    FE
    Q
    180〜 360
    R
    260至520
    注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
    出版日期： 2003年1月
    SJC00055BED
    4.1
    ±0.2
    •
    高集电极 - 发射极电压（基本开）V
    首席执行官
    •
    低噪声电压NV
    •
    M型封装可以方便的自动和手动插入的
    以及独立固定到印刷电路板上。
    R 0.9
    R 0.7
    4.5
    ±0.1
    ■
    特点
    1

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