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    2SB0779 参数 Datasheet PDF下载

    2SB0779图片预览
    型号： 2SB0779
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 对于低频输出放大 [For low-frequency output amplification]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 68 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB0779的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB0779的Datasheet PDF文件第3页  
    晶体管
    2SB0779
    (2SB779)
    PNP硅外延平面型
    单位：mm
    对于低频输出放大
    ■
    特点
    •
    低集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    •
    正向电流传输比H良好的线性
    FE
    在
    低集电极电压
    •
    迷你型封装，设备，允许小型化，
    通过带包装盒自动插入
    包装。
    10˚
    0.40
    +0.10
    –0.05
    3
    1.50
    +0.25
    –0.05
    2.8
    +0.2
    –0.3
    0.16
    +0.10
    –0.06
    1
    2
    (0.65)
    (0.95) (0.95)
    1.9
    ±0.1
    2.90
    +0.20
    –0.05
    1.1
    +0.2
    –0.1
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    −25
    −20
    −7
    −500
    −1
    200
    150
    −55
    to
    +150
    V
    V
    V
    mA
    A
    mW
    °C
    °C
    标记符号： 1A
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    集电极 - 发射极截止电流（基地开）
    正向电流传输比
    *1
    *1
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    h
    FE1 * 2
    h
    FE2
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    条件
    I
    C
    = −10 µA,
    I
    E
    =
    0
    I
    C
    = −1
    妈，我
    B
    =
    0
    I
    E
    = −10 µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CB
    = −25
    V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    = −20
    V，I
    B
    =
    0
    V
    CE
    = −2
    V，I
    C
    = −500
    mA
    V
    CE
    = −2
    V，I
    C
    = −1
    A
    I
    C
    = −500
    妈，我
    B
    = −50
    mA
    I
    C
    = −500
    妈，我
    B
    = −50
    mA
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    50毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    0, f
    =
    1兆赫
    民
    −25
    −20
    −7
    典型值
    0-0.1
    参数
    符号
    等级
    单位
    1.1
    +0.3
    –0.1
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    1 ：基本
    2 ：发射器
    3 ：收藏家
    EIAJ ： SC- 59
    Mini3 -G1封装
    最大
    单位
    V
    V
    V
    −100
    −1
    90
    25
    −
    0.2
    150
    15
    −
    0.4
    −1.2
    220
    nA
    µA
    V
    V
    兆赫
    pF
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    （共发射极反向传输）
    *1
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * 1 ：脉冲测量
    * 2 ：等级分类
    秩
    h
    FE1
    Q
    90〜 155
    R
    130至220
    注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
    出版日期： 2003年3月
    SJC00054BED
    0.4
    ±0.2
    5˚
    1

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