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2SB0767 参数 Datasheet PDF下载

2SB0767图片预览
型号: 2SB0767
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SB0767的Datasheet PDF文件第1页  
晶体管
P
C
- TA
1.4
2SB767
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–1.2
Ta=25˚C
–1.0
I
B
=–10mA
–9mA
–8mA
–7mA
–6mA
–5mA
–4mA
–3mA
–2mA
–1mA
–10
–3
–1
V
CE ( SAT )
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极耗散功率P
C
(W)
1.2
印刷circut板:铜
为1cm箔领域
2
或更多,并且
的1.7毫米板厚度
对于集电部。
1.0
集电极电流I
C
(A)
– 0.8
– 0.3
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
– 0.1
– 0.03
– 0.01
0.8
– 0.6
0.6
– 0.4
0.4
0.2
– 0.2
– 0.003
– 0.001
–1
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
V
BE ( SAT )
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
300
V
CE
=–10V
200
180
250
f
T
— I
E
V
CB
=–10V
Ta=25˚C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
过渡频率f
T
(兆赫)
–100 –300 –1000
–30
–10
–3
–1
Ta=–25˚C
75˚C
正向电流传输比H
FE
160
140
120
100
80
60
40
20
200
Ta=75˚C
25˚C
25˚C
150
–25˚C
100
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
50
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
0
–3
–10
–30
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
C
ob
— V
CB
50
–10
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
–3
安全操作区( ASO )
单脉冲
Ta=25˚C
集电极输出电容C
ob
(PF )
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
–1
集电极电流I
C
(A)
–1
I
CP
I
C
t=10ms
– 0.3
t=1s
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.003
– 0.001
– 0.1 – 0.3
–3
–10
–30
–100
–1
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2