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2SB0745 参数 Datasheet PDF下载

2SB0745图片预览
型号: 2SB0745
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内容描述: PNP硅外延平面型(低频,低噪声放大) [Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification)]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 53 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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晶体管
2SB745 , 2SB745A
PNP硅外延平面型
对于低频和低噪声放大
补充2SD661和2SD661A
单位:mm
6.9±0.1
0.4
q
q
q
2.4±0.2 2.0±0.2 3.5±0.1
低噪声电压NV 。
高盼着电流传输比H
FE
.
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及独立固定到印刷电路板上。
1.0
s
2.5±0.1
1.0
特点
1.5
1.5 R0.9
R0.9
1.0±0.1
R
0.
s
0.85
绝对最大额定值
(Ta=25˚C)
0.55±0.1
0.45±0.05
1.25±0.05
参数
集电极
基极电压
集电极
2SB745
2SB745A
2SB745
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
–35
–55
–35
–55
–5
–200
–50
400
150
–55 ~ +150
单位
V
3
2
1
发射极电压2SB745A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
2.5
2.5
EIAJ : SC- 71
M型模具包
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家基地
电压
集电极到发射极
电压
2SB745
2SB745A
2SB745
2SB745A
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
NV
条件
V
CB
= -10V ,我
E
= 0
V
CE
= -10V ,我
B
= 0
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -2mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CB
= -5V ,我
E
= 2毫安
I
C
= -100mA ,我
B
= -10mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -100mA
V
CB
= -5V ,我
E
= 2毫安中,f = 200MHz的
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA ,G
V
= 80分贝
R
g
= 100kΩ的,功能= FLAT
– 0.7
150
150
–35
–55
–35
–55
–5
180
700
– 0.6
–1
V
V
兆赫
mV
典型值
最大
–100
–1
单位
nA
µA
V
4.1±0.2
4.5±0.1
7
V
V
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
噪声电压
*
h
FE
等级分类
R
180 ~ 360
S
260 ~ 520
T
360 ~ 700
h
FE
1