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2SA777Q 参数 Datasheet PDF下载

2SA777Q图片预览
型号: 2SA777Q
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内容描述: [Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, SC-51, TO-92L-A1, 3 PIN]
分类和应用: 晶体驱动器小信号双极晶体管放大器
文件页数/大小: 3 页 / 49 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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晶体管
2SA777
PNP硅外延平面型
对于低频驱动器放大
补充2SC1509
5.9±0.2
单位:mm
4.9±0.2
q
q
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
–80
–80
–5
–1
– 0.5
750
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
mW
˚C
˚C
0.45
–0.1
1.27
1.27
+0.2
13.5±0.5
s
绝对最大额定值
(Ta=25˚C)
2.54±0.15
0.7
–0.2
+0.3
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
最适用于低频率的驱动级和25至30W
输出放大器。
0.7±0.1
8.6±0.2
s
特点
0.45
–0.1
+0.2
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -20V ,我
E
= 0
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -100μA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -10V ,我
C
= -150mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -500mA
I
C
= -300mA ,我
B
= -30mA
I
C
= -300mA ,我
B
= -30mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 50mA时F = 100MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
–80
–80
–5
90
50
100
– 0.2
– 0.85
120
11
20
– 0.4
–1.2
V
V
兆赫
pF
220
典型值
最大
– 0.1
单位
µA
V
V
V
*
h
FE1
等级分类
Q
90 ~ 155
R
130 ~ 220
h
FE1
3.2
1
2
3
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
EIAJ : SC- 51
TO- 92L封装
1