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    2SA2164 参数 Datasheet PDF下载

    2SA2164图片预览
    型号： 2SA2164
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型高频放大 [Silicon PNP epitaxial planar type For high-frequency amplification]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 456 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA2164的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA2164的Datasheet PDF文件第3页  
    晶体管
    2SA2164
    PNP硅外延平面型
    对于高频放大器阳离子
    0.33
    +0.05
    –0.02
    单位：mm
    0.10
    +0.05
    –0.02
    特点
    高传输率f
    T
    SSS迷你型封装，设备，允许小型化，
    自动插入通过带包装。
    3
    0.15分钟。
    0.80
    ±0.05
    1.20
    ±0.05
    0.52
    ±0.03
    0-0.01
    5°
    0.15分钟。
    0.23
    +0.05
    –0.02
    1
    2
    (0.40) (0.40)
    0.80
    ±0.05
    1.20
    ±0.05
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    –30
    –20
    –5
    –30
    100
    125
    -55到+125
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    1 ：基本
    2 ：发射器
    3 ：收藏家
    5°
    SSSMini3 -F1套餐
    标记符号：电子
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C±3°C
    参数
    基射极电压
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    集电极 - 发射极截止电流（基地开）
    发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
    正向电流传输比
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    噪音科幻gure
    反向传输阻抗
    共发射极反向传输电容
    符号
    V
    BE
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    NF
    Z
    rb
    C
    re
    条件
    V
    CE
    = -10 V，I
    C
    = -1毫安
    V
    CB
    = -10 V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    = -20 V，I
    B
    =
    0
    V
    EB
    = -5 V，I
    C
    =
    0
    V
    CB
    = -10 V，I
    E
    =
    1
    mA
    I
    C
    = -10毫安，我
    B
    = -1毫安
    V
    CB
    = -10 V，I
    E
    =
    1
    毫安， F =
    200
    兆赫
    V
    CB
    = -10 V，I
    E
    =
    1
    毫安， F =
    5
    兆赫
    V
    CB
    = -10 V，I
    E
    =
    1
    毫安， F =
    2
    兆赫
    V
    CB
    = -10 V，I
    E
    =
    1
    毫安， F =
    10.7
    兆赫
    150
    70
    –
    0.1
    300
    2.8
    22
    1.2
    民
    典型值
    –
    0.7
    –
    0.1
    –100
    –10
    220
    最大
    单位
    V
    µA
    µA
    µA
    V
    兆赫
    dB
    Ω
    pF
    注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C
    7030
    用于测量晶体管的方法。
    0.15最大。
    出版日期：十二月
    2004
    SJC00330AED
    1

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