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    2SA2118 参数 Datasheet PDF下载

    2SA2118图片预览
    型号： 2SA2118
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率晶体管PNP硅外延平面型 [Power Transistors Silicon PNP epitaxial planar type]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 71 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA2118的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA2118的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    2SA2118
    PNP硅外延平面型
    进行功率放大
    电视垂直偏转输出
    ■
    特点
    •
    正向电流传输比H良好的线性
    FE
    •
    封装的介电击穿电压： 5kV的
    •
    这可以用一个可安装在散热片的全包包
    螺丝。
    9.9
    ±0.3
    单位：mm
    4.6
    ±0.2
    2.9
    ±0.2
    13.7
    ±0.2
    4.2
    ±0.2
    浸焊
    15.0
    ±0.5
    φ
    3.2
    ±0.1
    1.4
    ±0.2
    1.6
    ±0.2
    0.8
    ±0.1
    3.0
    ±0.5
    2.6
    ±0.1
    ■
    绝对最大额定值
    T
    C
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极电源
    耗散
    结温
    储存温度
    T
    a
    =
    25°C
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    等级
    −200
    −180
    −6
    −2
    −3
    25
    2.0
    150
    −55
    to
    +150
    °C
    °C
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    0.55
    ±0.15
    2.54
    ±0.30
    5.08
    ±0.50
    1
    2
    3
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    TO- 220D -A1套餐
    ■
    电气特性
    T
    C
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    基射极电压
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
    正向电流传输比
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    V
    BE
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE1 *
    h
    FE2
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    条件
    I
    C
    = −50 µA,
    I
    E
    =
    0
    I
    C
    = −5
    妈，我
    B
    =
    0
    I
    E
    = −500 µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CE
    = −10
    V，I
    C
    = −400
    mA
    V
    CB
    = −200
    V，I
    E
    =
    0
    V
    EB
    = −4
    V，I
    C
    =
    0
    V
    CE
    = −10
    V，I
    C
    = −150
    mA
    V
    CE
    = −10
    V，I
    C
    = −400
    mA
    I
    C
    = −500
    妈，我
    B
    = −50
    mA
    V
    CE
    = −10
    V，I
    C
    = −
    0.5 A，F
    =
    10兆赫
    30
    60
    50
    −1
    V
    兆赫
    民
    −200
    −180
    −6
    −1
    −50
    −50
    240
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * ：等级分类
    秩
    h
    FE1
    Q
    60至140
    P
    100至240
    出版日期： 2004年7月
    SJD00315AED
    1

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