功率晶体管
2SA2102
PNP硅外延平面型
单位：mm
电源音频&视觉设备
如电视机和录像机
工业设备，如DC -DC转换器
■
特点
•
高速开关（T
英镑
：存放时间/吨
f
：秋季时间短）
•
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
•
卓越的正向电流传输比H
FE
线性
•
TO- 220D内置：优秀的包装与耐受电压5 kV的
保证
9.9
±0.3
3.0
±0.5
4.6
±0.2
2.9
±0.2
13.7
±0.2
4.2
±0.2
浸焊
15.0
±0.5
φ
3.2
±0.1
1.4
±0.2
1.6
±0.2
0.8
±0.1
2.6
±0.1
0.55
±0.15
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
1
2
2.54
±0.30
5.08
±0.50
3
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
T
C
=
25°C
T
a
=
25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
−60
−60
−6
−3
−5
15
2
150
−55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
W
B
°C
°C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220D -A1套餐
标记符号： A2102
内部连接
C
E
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
正向电流传输比
符号
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
h
FE1
h
FE2
h
FE3
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
I
C
= −10
妈，我
B
=
0
V
CB
= −60
V，I
E
=
0
V
CE
= −60
V，I
B
=
0
V
CE
= −4
V，I
C
= −
0.2 A
V
CE
= −4
V，I
C
= −1
A
V
CE
= −4
V，I
C
= −3
A
I
C
= −3
A，I
B
= −
0.375 A
V
CE
=
10 V，I
C
= −
0.1 A，F
=
10兆赫
I
C
= −1
A，电阻负载
I
B1
= −
0.1 A，I
B2
=
0.1 A
V
CC
= −50
V
100
0.2
0.4
0.1
60
80
30
−
0.8
250
民
−60
−100
−100
典型值
最大
单位
V
µA
µA
V
兆赫
µs
µs
µs
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期： 2002年11月
SJD00296AED
1
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
