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    2SA2075 参数 Datasheet PDF下载

    2SA2075图片预览
    型号： 2SA2075
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planar type]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 3 页 / 64 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA2075的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA2075的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    2SA2075
    PNP硅外延平面型
    单位：mm
    4.2
    ±0.2
    电源音频&视觉设备
    如电视机和录像机
    工业设备，如DC -DC转换器
    ■
    特点
    •
    高速开关（T
    英镑
    ：存放时间/吨
    f
    ：秋季时间短）
    •
    低集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    •
    卓越的正向电流传输比H
    FE
    线性
    •
    让供应与径向编带（ MT- 4 ）
    18.0
    ±0.5
    浸焊
    10.0
    ±0.2
    1.0
    ±0.2
    5.0
    ±0.1
    13.0
    ±0.2
    2.5
    ±0.1
    1.2
    ±0.1
    1.48
    ±0.2
    90˚
    C 1.0
    2.25
    ±0.2
    0.65
    ±0.1
    0.65
    ±0.1
    0.35
    ±0.1
    1.05
    ±0.1
    0.55
    ±0.1
    2.5
    ±0.2
    2.5
    ±0.2
    1 2 3
    0.55
    ±0.1
    ■
    绝对最大额定值
    T
    C
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极电源
    耗散
    结温
    储存温度
    T
    C
    =
    25°C
    T
    a
    =
    25°C
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    等级
    −80
    −80
    −6
    −3
    −5
    15
    2.0
    150
    −55
    to
    +150
    °C
    °C
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    MT-4 -A1包
    标记符号： A2075
    内部连接
    C
    B
    E
    ■
    电气特性
    T
    C
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    集电极 - 发射极截止电流（基地开）
    正向电流传输比
    符号
    V
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    h
    FE1
    h
    FE2
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    条件
    I
    C
    = −10
    妈，我
    B
    =
    0
    V
    CB
    = −80
    V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    = −80
    V，I
    B
    =
    0
    V
    CE
    = −4
    V，I
    C
    = −1
    A
    V
    CE
    = −4
    V，I
    C
    = −3
    A
    I
    C
    = −3
    A，I
    B
    = −375
    mA
    V
    CE
    =
    10 V，I
    C
    = −
    0.1 A，F
    =
    10兆赫
    I
    C
    = −1
    A，电阻负载
    I
    B1
    = −
    0.1 A，I
    B2
    =
    0.1 A
    V
    CC
    = −50
    V
    100
    0.2
    0.7
    0.1
    80
    30
    −1.0
    V
    兆赫
    µs
    µs
    µs
    民
    −80
    −100
    −100
    250
    典型值
    最大
    单位
    V
    µA
    µA
    注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
    出版日期： 2002年12月
    SJD00294AED
    1

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