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2SA2021图片预览
型号: 2SA2021
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 48 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
   
晶体管
2SA2021
PNP硅外延平面型
单位:mm
对于一般的放大
补充2SC5609
I
特点
高盼着电流传输比H
FE
SSS迷你型封装,可小型化和变薄
设备和自动插入通过带包装
0.33
+0.05
–0.02
3
0.10
+0.05
–0.02
(0.40) (0.40)
0.80
±0.05
1.20
±0.05
0.15分钟。
0.23
+0.05
–0.02
1
2
I
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
−60
−50
−7
−200
−100
100
125
−55
to
+125
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
0-0.01
参数
符号
等级
单位
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
SSS迷你型包装( 3针)
标记符号: 3E
I
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
集电极输出电容
跃迁频率
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
C
ob
f
T
条件
V
CB
= −20
V,I
E
=
0
V
CE
= −10
V,I
B
=
0
I
C
= −10 µA,
I
E
=
0
I
C
= −100 µA,
I
B
=
0
I
E
= −10 µA,
I
C
=
0
V
CE
= −10
V,I
C
= −2
mA
I
C
= −100
妈,我
B
= −10
mA
V
CB
= −10
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
V
CB
=
−10
V,I
E
= 1毫安, F = 200 MHz的
−60
−50
−7
180
0.3
2.7
80
390
0.5
V
pF
兆赫
典型值
最大
0.1
−100
单位
µA
µA
V
V
V
0.52
±0.03
0.15分钟。
0.80
±0.05
1.20
±0.05
1