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    2SA2009GS 参数 Datasheet PDF下载

    2SA2009GS图片预览
    型号： 2SA2009GS
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 1 页 / 46 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
       
    晶体管
    2SA2009
    PNP硅外延平面型
    单位：mm
    (0.425)
    对于低频高击穿电压的放大
    I
    特点
    •
    高集电极到发射极电压V
    首席执行官
    •
    低噪声电压NV
    0.3
    +0.1
    –0.0
    3
    0.15
    +0.10
    –0.05
    1.25
    ±0.10
    2.1
    ±0.1
    5˚
    1
    2
    0.2
    ±0.1
    (0.65) (0.65)
    I
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    −120
    −120
    −5
    −50
    −20
    150
    150
    −55
    to
    +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    °C
    °C
    10˚
    1.3
    ±0.1
    2.0
    ±0.2
    1 ：基本
    2 ：发射器
    3 ：收藏家
    EIAJ ： SC- 70
    如小型封装类型（ 3针）
    标记符号： AR
    I
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    符号
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    正向电流传输比
    *
    集电极到发射极饱和电压
    噪声电压
    跃迁频率
    注） *：等级分类
    秩
    h
    FE
    R
    180〜 360
    S
    260至520
    T
    360 〜700
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    NV
    f
    T
    条件
    V
    CB
    = −50
    V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    = −50
    V，I
    B
    =
    0
    I
    C
    = −10 µA,
    I
    E
    =
    0
    I
    C
    = −1
    妈，我
    B
    =
    0
    I
    E
    = −10 µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CE
    = −5
    V，I
    C
    = −2
    mA
    I
    C
    = −20
    妈，我
    B
    = −2
    mA
    V
    CE
    = −40
    V，I
    C
    = −1
    毫安，G
    V
    =
    80分贝
    R
    g
    =
    100千瓦，功能
    =
    平
    V
    CB
    = −5
    V，I
    E
    =
    2毫安，女
    =
    200兆赫
    130
    120
    −120
    −120
    −5
    180
    700
    −
    0.6
    V
    mV
    兆赫
    民
    典型值
    最大
    −100
    −1
    单位
    nA
    µA
    V
    V
    V
    0-0.1
    0.9
    ±0.1
    0.9
    +0.2
    –0.1
    1

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