欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SA2004 参数 Datasheet PDF下载

2SA2004图片预览
型号: 2SA2004
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 37 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
   
功率晶体管
2SA2004
PNP硅外延平面型
单位:mm
进行功率放大
9.9
±0.3
4.6
±0.2
2.9
±0.2
13.7
±0.2
4.2
±0.2
浸焊
高正向电流传输比H
FE
正向电流传输比H良好的线性
FE
封装的介电击穿电压:
& GT ;
5千伏
高速开关
15.0
±0.5
I
特点
φ
3.2
±0.1
1.4
±0.2
1.6
±0.2
0.8
±0.1
3.0
±0.5
2.6
±0.1
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电源
耗散
T
C
=
25°C
T
a
=
25°C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
等级
−60
−60
−5
−16
−8
20
2.0
150
−55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
0.55
±0.15
2.54
±0.30
5.08
±0.50
1
2
3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220D套餐
结温
储存温度
I
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
集电极到发射极电压
正向电流传输比
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= −60
V,I
E
=
0
V
CE
= −60
V,I
E
=
0
I
C
= −10
妈,我
B
=
0
V
CE
= −2
V,I
C
= −
0.1 A
V
CE
= −2
V,I
C
= −5
A
I
C
= −5
A,I
B
= −
0.25 A
I
C
= −5
A,I
C
= −
0.25 A
I
C
= −4
A,I
B1
= −400
mA
I
B2
=
400毫安,V
CC
=
50 V
0.2
0.1
0.5
−60
100
30
−1.2
−1.7
0.5
0.15
1.0
V
V
µs
µs
µs
230
典型值
最大
−100
−100
单位
µA
µA
V
1