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    2SA1816 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1816图片预览
    型号： 2SA1816
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管放大器
    文件页数/大小： 1 页 / 25 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
       
    晶体管
    2SA1816(Tentative)
    PNP硅外延平面型
    对于低频高击穿电压的放大
    4.0±0.2
    3.0±0.2
    单位：mm
    s
    特点
    q
    高集电极到发射极电压V
    首席执行官
    .
    15.6±0.5
    s
    绝对最大额定值
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    (Ta=25˚C)
    0.7±0.1
    评级
    –150
    –150
    –5
    –100
    –50
    300
    150
    –55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    ˚C
    ˚C
    1 ：发射器
    2 ：收藏家
    3 ：基本
    1
    2
    3
    1.27 1.27
    2.54±0.15
    EIAJ ：SC- 72
    新的S型套餐
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    噪声电压
    (Ta=25˚C)
    符号
    I
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    h
    FE*1
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    NV
    条件
    V
    CB
    = -100V ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = -100μA ，我
    B
    = 0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -10mA
    I
    C
    = -30mA ，我
    B
    = -3mA
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 10毫安中，f = 200MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = - 1毫安，G
    V
    = 80分贝
    R
    g
    = 100kΩ的，功能= FLAT
    150
    200
    5
    –150
    –5
    90
    450
    –1
    V
    兆赫
    pF
    mV
    民
    典型值
    最大
    –1
    单位
    µA
    V
    V
    *1
    h
    FE
    等级分类
    Q
    90 ~ 155
    R
    130 ~ 220
    S
    185 ~ 330
    T
    260 ~ 450
    秩
    h
    FE
    2.0±0.2
    记号
    +0.2
    0.45–0.1
    1

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