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    2SA1790J 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1790J图片预览
    型号： 2SA1790J
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 用于高频放大 [For high-frequency amplification]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 3 页 / 66 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA1790J的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1790J的Datasheet PDF文件第3页  
    晶体管
    2SA1790J
    PNP硅外延平面型
    1.60
    +0.05
    –0.03
    1.00
    ±0.05
    3
    0.80
    ±0.05
    用于高频放大
    补充2SC4626J
    ■
    特点
    •
    最佳的FM / AM收音机的RF放大
    •
    高转换频率f
    T
    •
    SS-迷你型封装，设备，允许小型化，
    通过带包装自动插入
    单位：mm
    0.12
    +0.03
    –0.01
    1.60
    ±0.05
    0.85
    +0.05
    –0.03
    1
    0.27
    ±0.02
    2
    (0.50)(0.50)
    0至0.02
    (0.80)
    5˚
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    −30
    −20
    −5
    −30
    125
    125
    −55
    to
    +125
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    EIAJ ：SC- 89
    SSMini3 -F1套餐
    0.70
    +0.05
    –0.03
    5˚
    1 ：基本
    2 ：发射器
    3 ：收藏家
    标记符号：电子
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    基射极电压
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    集电极 - 发射极截止电流（基地开）
    发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
    正向电流传输比
    *
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    噪声系数
    反向传输阻抗
    反向传输电容（共发射极）
    符号
    V
    BE
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    NF
    Z
    rb
    C
    re
    条件
    V
    CE
    = −10
    V，I
    C
    = −1
    mA
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    = −20
    V，I
    B
    =
    0
    V
    EB
    = −5
    V，I
    C
    =
    0
    V
    CE
    =
    −10
    V，I
    C
    =
    −1
    mA
    I
    C
    = −10
    妈，我
    B
    = −1
    mA
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    1毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    1毫安，女
    =
    5兆赫
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    1毫安，女
    =
    2兆赫
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    1毫安，女
    =
    10.7兆赫
    150
    70
    −
    0.1
    300
    2.8
    22
    1.2
    4.0
    50
    2.0
    民
    典型值
    −
    0.7
    −
    0.1
    −100
    −10
    220
    最大
    单位
    V
    µA
    µA
    µA
    V
    兆赫
    dB
    Ω
    pF
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * ：等级分类
    秩
    h
    FE
    B
    70至140
    C
    110〜 220
    0.10最大。
    (0.375)
    出版日期： 2003年7月
    SJC00291AED
    1

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