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    2SA1762 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1762图片预览
    型号： 2SA1762
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 51 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA1762的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA1762的Datasheet PDF文件第3页  
    晶体管
    P
    C
    - TA
    1.2
    –1.2
    印刷circut板：铜
    为1cm箔领域
    2
    或更多，并且
    的1.7毫米板厚度
    对于集电部。
    Ta=25˚C
    –1.0
    I
    B
    =–10mA
    –1.0
    2SA1762
    I
    C
    — V
    CE
    –1.2
    V
    CE
    =–10V
    Ta=25˚C
    I
    C
    — I
    B
    集电极耗散功率P
    C
    (W)
    1.0
    集电极电流I
    C
    (A)
    0.8
    – 0.8
    –8mA
    –7mA
    –6mA
    –5mA
    –4mA
    –3mA
    –2mA
    –1mA
    0.6
    – 0.6
    0.4
    – 0.4
    0.2
    – 0.2
    0
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    0
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    集电极电流I
    C
    (A)
    –9mA
    – 0.8
    – 0.6
    – 0.4
    – 0.2
    0
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    环境温度Ta （C ）
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    基极电流I
    B
    （MA ）
    V
    CE （ SAT ）
    — I
    C
    集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    (V)
    –10
    –30
    –10
    –3
    –1
    25˚C
    –25˚C
    V
    BE （ SAT ）
    — I
    C
    基地发射极饱和电压V
    BE （ SAT ）
    (V)
    I
    C
    /I
    B
    =10
    –100
    –30
    –10
    –3
    –1
    Ta=–25˚C
    75˚C
    I
    C
    /I
    B
    =10
    300
    h
    FE
    — I
    C
    V
    CE
    =–10V
    正向电流传输比H
    FE
    250
    200
    Ta=75˚C
    25˚C
    Ta=75˚C
    25˚C
    150
    –25˚C
    100
    – 0.3
    – 0.1
    – 0.03
    – 0.01
    –1
    – 0.3
    – 0.1
    – 0.03
    – 0.01
    –1
    50
    –3
    –10
    –30
    –100 –300 –1000
    –3
    –10
    –30
    –100 –300 –1000
    0
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100 –300 –1000
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    f
    T
    — I
    E
    120
    C
    ob
    — V
    CB
    集电极输出电容C
    ob
    （PF ）
    V
    CB
    =–10V
    f=200MHz
    Ta=25˚C
    60
    I
    E
    =0
    f=1MHz
    Ta=25˚C
    10
    4
    I
    CBO
    - TA
    V
    CB
    =–20V
    过渡频率f
    T
    （兆赫）
    100
    50
    10
    3
    40
    80
    I
    CBO
    （TA）
    I
    CBO
    (Ta=25˚C)
    –3
    –10
    –30
    –100
    60
    30
    10
    2
    40
    20
    10
    10
    20
    0
    1
    3
    10
    30
    100
    300
    1000
    0
    –1
    1
    0
    60
    120
    180
    发射极电流I
    E
    （MA ）
    集电极基极电压V
    CB
    (V)
    环境温度Ta （C ）
    2

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