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2SA1739G-Q 参数 Datasheet PDF下载

2SA1739G-Q图片预览
型号: 2SA1739G-Q
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内容描述: [RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 43 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SA1739G-Q的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SA1739
PNP硅外延平面型
对于高速开关
单位:mm
2.1±0.1
s
特点
q
q
q
0.425
1.25±0.1
0.425
高速开关(对与2SC3938 )
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
S-迷你型封装,设备,允许小型化,
通过带包装盒自动插入
包装。
(Ta=25˚C)
0.65
1
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65
3
2
0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
0.9±0.1
–15
–15
–4
–100
–50
150
150
–55 ~ +150
V
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
0.7±0.1
评级
单位
0-0.1
0.2±0.1
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 70
S-迷你型包装
标记符号:
AX
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
打开-O FF时间
贮存时间
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
t
on
t
关闭
t
英镑
条件
V
CB
= -8V ,我
E
= 0
V
EB
= -3V ,我
C
= 0
V
CE
= -1V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -1mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -1mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 10毫安中,f = 200MHz的
V
CB
= -5V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
(注1 )下一页
(注1 )下一页
(注1 )下一页
800
50
30
– 0.1
1500
1
12
20
19
– 0.2
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
典型值
最大
– 0.1
– 0.1
150
单位
µA
µA
*
h
FE1
等级分类
Q
50 ~ 120
R
90 ~ 150
h
FE1
0.15
–0.05
+0.1
0.3
–0
+0.1
1