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    2SA1499 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1499图片预览
    型号： 2SA1499
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planar type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 62 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA1499的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1499的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    2SA1499
    PNP硅外延平面型
    对于高速切换
    0.7±0.1
    单位：mm
    10.0±0.2
    5.5±0.2
    2.7±0.2
    4.2±0.2
    φ3.1±0.1
    1.4±0.1
    1.3±0.2
    0.5
    +0.2
    –0.1
    0.8±0.1
    2.54±0.25
    5.08±0.5
    1
    2
    3
    4.2±0.2
    s
    特点
    q
    q
    q
    q
    高盼着电流传输比H
    FE
    高速开关
    高集电极到基极电压V
    CBO
    可与被安装在散热片的全包包
    一个螺丝。
    (T
    C
    =25˚C)
    s
    绝对最大额定值
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极电流T
    C
    =25°C
    耗散
    Ta=25°C
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    16.7±0.3
    14.0±0.5
    评级
    –400
    –400
    –7
    –1.2
    – 0.6
    25
    2
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    ˚C
    ˚C
    浸焊
    4.0
    7.5±0.2
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    TO- 220全包套餐（一）
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极到发射极电压
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    *
    h
    (T
    C
    =25˚C)
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    首席执行官
    h
    FE1*
    h
    FE2
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    条件
    V
    CB
    = -400V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = -7V ，我
    C
    = 0
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    = 0
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -100mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -300mA
    I
    C
    = -300mA ，我
    B
    = -60mA
    I
    C
    = -300mA ，我
    B
    = -60mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -100mA ， F = 1MHz的
    I
    C
    = -300mA ，
    I
    B1
    = -60mA ，我
    B2
    = 60毫安，
    V
    CC
    = –100V
    15
    1.0
    3.5
    1.0
    –400
    30
    10
    –1.0
    –1.2
    V
    V
    兆赫
    µs
    µs
    µs
    160
    民
    典型值
    最大
    –100
    –100
    单位
    µA
    µA
    V
    FE1
    等级分类
    Q
    30至60
    P
    50至100
    O
    80至160
    秩
    h
    FE1
    1

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