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2SA1128 参数 Datasheet PDF下载

2SA1128图片预览
型号: 2SA1128
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 39 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SA1128的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SA1128
PNP硅外延平面型
对于低频输出放大
单位:mm
5.0±0.2
4.0±0.2
q
q
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
最适合于低电压操作,并为转换器电路。
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25˚C)
评级
–25
–20
–7
–1
– 0.5
600
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
mW
˚C
˚C
13.5±0.5
5.1±0.2
s
特点
0.45
–0.1
1.27
+0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
1 2 3
2.3±0.2
2.54±0.15
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
JEDEC : TO- 92
EIAJ : SC- 43A
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -25V ,我
E
= 0
V
CE
= -20V ,我
B
= 0
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= –0.5A
*2
V
CE
= -2V ,我
C
= –1A
*2
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
*2
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
*2
V
CB
= -10V ,我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
150
15
*2
典型值
最大
–100
–1
单位
nA
µA
V
V
V
–25
–20
–7
90
25
– 0.4
–1.2
220
V
V
兆赫
25
pF
脉冲测量
*1
h
FE
等级分类
Q
90 ~ 155
R
130 ~ 220
h
FE1
注)S等级V
首席执行官
18V.
1