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2SA1127 参数 Datasheet PDF下载

2SA1127图片预览
型号: 2SA1127
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管ISM频段放大器
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SA1127的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SA1127
PNP硅外延平面型
对于低频和低噪声放大
补充2SC2634
5.0±0.2
单位:mm
4.0±0.2
q
q
低噪音等特点。
高盼着电流传输比H
FE
.
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25˚C)
评级
–60
–55
–7
–200
–100
400
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
13.5±0.5
5.1±0.2
s
特点
0.45
–0.1
1.27
+0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
1 2 3
2.3±0.2
2.54±0.15
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
JEDEC : TO- 92
EIAJ : SC- 43A
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
噪声电压
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
NV
条件
V
CB
= -10V ,我
E
= 0
V
CE
= -10V ,我
B
= 0
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -5V ,我
C
= -2mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -10mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -30mA
V
CB
= -5V ,我
E
= 2毫安中,f = 200MHz的
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA ,G
V
= 80分贝
R
g
= 100kΩ的,功能= FLAT
200
150
–60
–55
–7
180
700
– 0.6
–1
V
V
兆赫
mV
典型值
–1
– 0.01
最大
–100
–1
单位
nA
µA
V
V
V
*
h
FE
等级分类
R
180 ~ 360
S
260 ~ 520
T
360 ~ 700
h
FE
1