欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SA1124 参数 Datasheet PDF下载

2SA1124图片预览
型号: 2SA1124
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 39 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SA1124的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SA1124
PNP硅外延平面型
对于低频高击穿电压的放大
补充2SC2632
5.9±0.2
单位:mm
4.9±0.2
q
q
q
q
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25˚C)
评级
–150
–150
–5
–100
–50
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
3.2
0.45
–0.1
1.27
1.27
+0.2
13.5±0.5
满意盼着电流传输比H
FE
集电极电流I
C
的特点。
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
小集电极输出电容C
ob
.
构成了一个互补对与2SC2632 ,这进行了优
MUM为40〜 60W的输出放大器的前置驱动器级。
2.54±0.15
0.7
–0.2
+0.3
0.7±0.1
8.6±0.2
s
特点
0.45
–0.1
+0.2
V
mA
mA
W
˚C
˚C
1
2
3
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
EIAJ : SC- 51
TO- 92L封装
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声电压
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
NV
条件
V
CB
= -100V ,我
E
= 0
I
C
= -0.1mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
I
C
= -30mA ,我
B
= -3mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 10毫安中,f = 200MHz的
V
CE
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA ,G
V
= 80分贝
R
g
= 100kΩ的,功能= FLAT
150
200
5
300
–150
–5
130
450
–1
V
兆赫
pF
mV
典型值
最大
–1
单位
µA
V
V
*
h
FE
等级分类
R
130 ~ 220
S
185 ~ 330
T
260 ~ 450
h
FE
1