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2SA0838 参数 Datasheet PDF下载

2SA0838图片预览
型号: 2SA0838
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SA0838的Datasheet PDF文件第1页  
晶体管
P
C
- TA
500
–30
Ta=25˚C
450
–25
2SA838
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75˚C
25˚C
V
CE ( SAT )
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极耗散功率P
C
( mW)的
350
300
250
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
200
集电极电流I
C
(MA )
400
–20
I
B
=–250µA
–200µA
–15
–150µA
–10
–100µA
–50µA
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.1 – 0.3
–25˚C
–5
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–1
–3
–10
–30
–100
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
h
FE
— I
C
–120
6
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
(PF )
V
CE
=–10V
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25˚C
C
re
— V
CE
共发射极反向传输电容C
re
(PF )
5
I
C
=–1mA
f=10.7MHz
Ta=25˚C
4
正向电流传输比H
FE
–100
Ta=75˚C
–80
5
25˚C
–25˚C
4
3
–60
3
2
–40
2
–20
1
1
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(MA )
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
f
T
— I
E
600
V
CB
=–10V
Ta=25˚C
24
PG - 我
C
V
CE
=–10V
f=100MHz
Ta=25˚C
5
NF - 我
E
V
CB
=–10V
f=100MHz
Ta=25˚C
4
过渡频率f
T
(兆赫)
500
20
400
16
噪声系数NF ( dB)的
–1
–3
–10
–30
–100
功率增益PG (分贝)
3
300
12
2
200
8
100
4
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
– 0.1 – 0.3
0
0.1
0.3
1
3
10
发射极电流I
E
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
2