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    2SA0794 参数 Datasheet PDF下载

    2SA0794图片预览
    型号： 2SA0794
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planar type]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 95 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA0794的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA0794的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA0794的Datasheet PDF文件第4页  
    功率晶体管
    2SA0794
    (2SA794)
    ， 2SA0794A
    (2SA794A)
    PNP硅外延平面型
    对于低频输出驱动
    补充2SC1567 ， 2SC1567A
    φ
    3.16
    ±0.1
    3.8
    ±0.3
    单位：mm
    8.0
    +0.5
    –0.1
    3.2
    ±0.2
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压
    （发射极开路）
    2SA0794
    2SA0794A
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    V
    CBO
    等级
    −100
    −120
    −100
    −120
    −5
    −
    0.5
    −1
    1.2
    150
    −55
    to
    +150
    V
    A
    A
    W
    °C
    °C
    V
    单位
    V
    0.75
    ±0.1
    4.6
    ±0.2
    0.5
    ±0.1
    0.5
    ±0.1
    2.3
    ±0.2
    3
    1.76
    ±0.1
    1
    2
    集电极 - 发射极电压2SA0794
    （基地开）
    2SA0794A
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 发射极电压
    （基地开）
    2SA0794
    2SA0794A
    V
    EBO
    h
    FE1 *
    h
    FE2
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    （共同的基础，输入开路）
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    I
    E
    = −1 µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CE
    = −10
    V，I
    C
    = −150
    mA
    V
    CE
    = −5
    V，I
    C
    = −500
    mA
    I
    C
    = −500
    妈，我
    B
    = −50
    mA
    I
    C
    = −500
    妈，我
    B
    = −50
    mA
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    50毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    0, f
    =
    1兆赫
    符号
    V
    首席执行官
    条件
    I
    C
    = −100 µA,
    I
    B
    =
    0
    民
    −100
    −120
    −5
    90
    50
    100
    −
    0.2
    −
    0.85
    120
    20
    30
    −
    0.4
    −1.20
    V
    V
    兆赫
    pF
    220
    V
    典型值
    最大
    单位
    V
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    正向电流传输比
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * ：等级分类
    秩
    h
    FE1
    Q
    90〜 155
    R
    130至220
    注）括号内显示常规零件号的零件号。
    出版日期： 2003年2月
    SJD00001BED
    16.0
    ±1.0
    •
    高集电极 - 发射极电压（基本开）V
    首席执行官
    •
    最适用于低频的驱动级和40瓦到100瓦
    输出放大器器
    •
    TO- 126B封装，无需保温板功能的安装
    灰到散热器
    1.9
    ±0.1
    1 ：发射器
    2 ：收藏家
    3 ：基本
    TO- 126B -A1套餐
    3.05
    ±0.1
    ■
    特点
    11.0
    ±0.5
    1

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