功率晶体管
P
C
- TA
50
–600
(1) T
C
= TA
（2）在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
（3）同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
（ 4 ）不带散热片
(P
C
=2W)
T
C
=25˚C
–500
I
B
=–4.5mA
–4.0mA
–3.5mA
–3.0mA
–2.5mA
–2.0mA
–1.5mA
–1.0mA
- 0.5毫安
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
0
0
2SB940 ， 2SB940A
I
C
— V
CE
–2.0
V
CE
=–10V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
40
–1.6
25˚C
–1.2
T
C
=100˚C
–400
30
–300
(1)
20
– 0.8
–25˚C
–200
10
(3)
(4)
0
(2)
–100
– 0.4
– 0.2
– 0.4
– 0.6
– 0.8
–1.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10000
–10
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
10000
V
CE
=–10V
3000
1000
300
100
30
10
3
f
T
— I
C
V
CE
=–10V
f=10MHz
T
C
=25˚C
正向电流传输比H
FE
–3
1000
300
100
–25˚C
30
10
3
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
T
C
=100˚C
25˚C
–1
T
C
=100˚C
25˚C
–25˚C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03
过渡频率f
T
（兆赫）
–1
–3
–10
3000
– 0.1
– 0.3
–1
–3
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全操作区（ ASO ）
–100
–30
10
3
非重复脉冲
T
C
=25˚C
R
日（T ）
— t
（ 1 ）不带散热片
（2）在一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
(1)
热阻R
th
（吨）（ C / W）
集电极电流I
C
(A)
10
2
–10
–3
–1
I
CP
t=0.5ms
I
C
5ms
1ms
10
(2)
– 0.3
DC
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
1
2SB940A
10
–1
2SB940
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
时间t （S ）
2
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
