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1318 参数 Datasheet PDF下载

1318图片预览
型号: 1318
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内容描述: NPN硅外延平面型(对于低频驱动器放大) [Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency driver amplification)]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 3 页 / 48 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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晶体管
P
C
- TA
1.2
1.2
Ta=25˚C
I
B
=–10mA
8mA
7mA
6mA
5mA
0.6
4mA
3mA
0.4
2mA
0.2
1mA
2SC1318A
I
C
— V
CE
1.2
V
CE
=10V
Ta=25˚C
1.0
I
C
— I
B
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
1.0
集电极电流I
C
(A)
0.8
0.8
集电极电流I
C
(A)
9mA
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(MA )
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
3
1
0.3
Ta=75˚C
0.1
0.03
0.01
0.003
0.001
1
3
10
30
100
300
1000
25˚C
–25˚C
V
BE ( SAT )
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
100
30
10
3
25˚C
1
0.3
0.1
0.03
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
Ta=–25˚C
75˚C
I
C
/I
B
=10
300
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
正向电流传输比H
FE
250
Ta=75˚C
25˚C
150
–25˚C
200
100
50
0
1
3
10
30
100
300
1000
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(MA )
f
T
— I
E
200
180
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
(PF )
V
CB
=10V
Ta=25˚C
50
45
40
10
3
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
10
4
V
CB
=20V
I
CBO
- TA
过渡频率f
T
(兆赫)
160
140
120
100
80
60
40
20
0
–1
30
25
20
15
I
CBO
(TA)
I
CBO
(Ta=25˚C)
1
3
10
30
100
35
10
2
10
10
5
0
1
0
60
120
180
–3
–10
–30
–100
发射极电流I
E
(MA )
集电极基极电压V
CB
(V)
环境温度Ta (C )
2