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2SK3047 参数 Datasheet PDF下载

2SK3047图片预览
型号: 2SK3047
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内容描述: 硅N沟道功率的F- MOS FET [Silicon N-Channel Power F-MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 3 页 / 46 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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Power F-MOS FETs
V
DS
, V
GS
Q
g
800
16
14
12
10
V
DS
V
GS
8
6
4
2
0
24
120
I
D
=2A
T
C
=25˚C
2SK3047
t
d(on)
, t
r
, t
f
, t
d(off)
I
D
V
DD
=200V
V
GS
=10V
T
C
=25˚C
Drain to source voltage V
DS
(V)
Gate to source voltage V
GS
(V)
700
600
500
400
300
200
100
0
0
4
8
12
16
Switching time t
d(on)
,t
r
,t
f
,t
d(off)
(ns)
100
80
60
t
d(off)
40
t
f
t
r
20
t
d(on)
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
20
Gate charge amount Q
g
(nC)
Drain current I
D
(A)
R
th(t)
t
10
2
(1) Without heat sink
(2) With a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
(1)
Thermal resistance R
th
(t) (˚C/W)
10
(2)
1
10
–1
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
Time t (s)
3