GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4860
Wesentliche Merkmale
Features
• Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
• Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Fabricated in a liquid phase epitaxy process
• Cathode is electrically connected to the case
• High reliability
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Matches all Si-Photodetectors
• Hermetically sealed package
• Hermetisch dichtes Metallgehäuse
Anwendungen
Applications
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• IR-Gerätefernsteuerungen
• Sensorik
• Photointerrupters
• IR remote control
• Sensor technology
• Light curtains
• Lichtgitter
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 4860
Q62702P5053
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Plankappe,
Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’)
Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden
18 A3 DIN 870 (TO-18), flat glass cap, lead spacing
2.54 mm (1/10’’)
anode making: projection at package bottom
2007-12-07
1
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
