欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

LD269 参数 Datasheet PDF下载

LD269图片预览
型号: LD269
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 砷化镓红外发射器阵列 [GaAs Infrared Emitter Arrays]
分类和应用: 光电
文件页数/大小: 7 页 / 267 K
品牌: OSRAM [ OSRAM GMBH ]
 浏览型号LD269的Datasheet PDF文件第1页浏览型号LD269的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LD269的Datasheet PDF文件第4页浏览型号LD269的Datasheet PDF文件第5页浏览型号LD269的Datasheet PDF文件第6页浏览型号LD269的Datasheet PDF文件第7页  
LD 260, LD 262 LD 269  
Grenzwerte (TA = 25 °C)  
Maximum Ratings  
Bezeichnung  
Parameter  
Symbol  
Symbol  
Wert  
Value  
Einheit  
Unit  
Betriebs- und Lagertemperatur  
Operating and storage temperature range  
Top; Tstg  
– 40 + 80  
°C  
°C  
V
Sperrschichttemperatur  
Junction temperature  
Tj  
80  
5
Sperrspannung  
Reverse voltage  
VR  
Durchlassstrom  
Forward current  
IF  
50  
1.6  
70  
mA  
A
Stoßstrom, τ ≤ 10 μs, D = 0  
Surge current  
IFSM  
Ptot  
Verlustleistung  
mW  
Power dissipation  
Wärmewiderstand  
Thermal resistance  
RthJA  
RthJL  
750  
650  
K/W  
K/W  
Kennwerte (TA = 25 °C)  
Characteristics  
Bezeichnung  
Parameter  
Symbol  
Symbol  
Wert  
Value  
Einheit  
Unit  
Wellenlänge der Strahlung  
Wavelength at peak emission  
IF = 50 mA, tp = 20 ms  
λpeak  
950  
nm  
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax  
Spectral bandwidth at 50% of Imax  
IF = 50 mA, tp = 20 ms  
Δλ  
55  
nm  
Abstrahlwinkel  
Half angle  
ϕ
± 15  
Grad  
deg.  
Aktive Chipfläche  
Active chip area  
0.25  
mm2  
mm²  
mm  
A
Abmessungen der aktiven Chipfläche  
Dimension of the active chip area  
L × B  
L × W  
0.5 × 0.5  
1.3 1.9  
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel  
Distance chip surface to lens top  
H
2007-04-03  
3