超高功率GaAlAs的红外线发射器
.130
最大
环氧树脂
.039
.048
.018
OD-100
特点
阳极
（案例）
.357
.362
.100
•
•
•
•
•
超高功率输出
在模具边角四引线键合
非常均匀的光束
标准的3引脚TO -39密封封装
芯片尺寸0.030 X 0.030英寸
.031
.014
.018
.500
阴极
.040
45*
光电特性在25℃
参数
总输出功率，P
o
辐射强度，我
e
峰值发射波长，
λ
P
光谱带宽在50％以上，
Δλ
半强度的光束角，
θ
正向电压，V
F
反向击穿电压，V
R
电容C
上升时间
下降时间
测试条件
I
F
= 500毫安
I
F
= 10A
I
F
= 500毫安
I
F
= 50毫安
MB
E
民
80
典型值
100
1300
60
80
110
1.65
5
30
90
0.7
0.7
880
1000毫瓦
500mA
10A
5V
260°C
-55 ° C至100℃
100°C
145 ° C / W典型
75 ° C / W典型
R
最大
单位
mW
毫瓦/ SR
nm
nm
度
2
伏
伏
pF
微秒
微秒
750米切尔路，纽伯里公园，加州91320
电话： （ 805 ） 499-0335 ，传真： （ 805 ） 499-8108
电子邮件： sales@optodiode.com ，网址： www.optodiode.com
RoHS指令
绝对最大额定值在25 °C外壳
功耗
1
峰值正向电流（为10μs ， 400赫兹）
2
反向电压
引线焊接温度（ 16"分之1从案例10秒）
EN
热学参数
存储和工作温度范围
最高结温
热电阻R
THJA1
热电阻R
THJA2
1Heat转移由静止空气中测量通过导线最小的热传导最小化
2Air循环以极快的速度，以保持壳体温度在25℃下
修订版2013年2月26日
D
每个热降额曲线1Derate 25℃以上
2Derate线以上25°C
OF
连续正向电流
LI
FE
DE
I
F
= 500毫安
I
R
= 10μA
V
R
= 0V
CE
20
13
.297
.302
.200
所有表面都是镀金的。尺寸为名义
以英寸为单位的值，除非另有说明。两个阴极
引脚
必须是
外部连接在一起。
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