HIGH -POWER的GaAlAs红外发射体芯片
特点
OD-880-C
.014
•高可靠性LPE的GaAlAs IRLED芯片
•渐变带隙结构的LED高功率辐射
产量
.014
• 880nm的峰值发射
•良好的可焊性
•良好的欧姆接触（金合金）
EMITTING
表面
.006
N
P
.003
.005
所有尺寸均为标称值以英寸为单位，除非
另有规定ED 。
金
往来
RoHS指令
光电特性在25℃
参数
总输出功率，P
o
峰值发射波长，
P
光谱带宽在50％以上，
正向电压，V
F
电容C
上升时间
下降时间
反向击穿电压，V
R
测试条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 20mA下
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 0V
5
民
8
典型值
14
2
880
80
30
17
最大
单位
mW
nm
1.9
伏
伏
pF
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
nm
1.55
0.5
0.5
在25 ° C绝对最大额定值
功耗
连续正向电流
反向电压
190mW
100mA
5V
3A
峰值正向电流（ 10秒， 300赫兹）
存储和工作温度范围
最高结温
-65 ℃〜150 ℃的
150°C
准确的性能数据取决于你的包的配置和技术。本说明书中列出的数据是
使用银环氧树脂作为芯片附着材料的芯片安装在TO-46头中。所有销售都是在60天后终
从发货日期。光电二极管必须被告知此期间内的任何差异。
750米切尔路，纽伯里公园，加州91320
电话： （ 805 ） 499-0335 ，传真： （ 805 ） 499-8108
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