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OP750B 参数 Datasheet PDF下载

OP750B图片预览
型号: OP750B
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内容描述: NPN河粉totransistor与基线发射极电阻 [NPN Pho totransistor with Base- Emitter Resistor]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 429 K
品牌: OPTEK [ OPTEK TECHNOLOGIES ]
 浏览型号OP750B的Datasheet PDF文件第1页  
类型OP750A , OP750B , OP750C , OP750D
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
符号
参数
通态集电极电流
I
C( ON)
OP750A
OP750B
OP750C
OP750D
拐点辐射
集电极 - 发射极暗电流
发射极反向电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
30
0.4
2.25
1.50
0.85
0.85
.03
100
100
7.00
4.20
2.80
7.00
mA
典型值
最大
单位
测试条件
V
CE
= 5 V,E
e
= 1毫瓦/厘米
2(3)
E
KP
I
首席执行官
I
ECO
V
( BR ) CEO
V
CE ( SAT )
毫瓦/平方厘米
2
V
CE
= 5 V
(4)
nA
µA
V
V
V
CE
= 10 V ,E
e
= 0
V
EC
= 0.4 V
I
C
= 100
µA
I
C
= 100
µA,
E
e
= 1毫瓦/厘米
2(3)
典型性能曲线
归集电极电流
与角位移
归一化的光与暗
电流与环境温度
100
10
1
光电流
.1
.01
暗电流
.001
.0001
.00001
.001
通态集电极电流
与辐射
OP550
OP750
V
CE
= 5 V
LED :
l
= 935 nm的
.01
.1
1
10
q
- Angluar位移 - 度。
T
A
- 环境温度 -
°
C
E
e
- 辐射 - 毫瓦/平方厘米
2
归一化输出与
频率
1.0
V
R
= 1 V
V
CE
= 5 V
占空比为50%
LED :
l
= 935 nm的
典型的上升和下降时间 -
负载电阻
120
105
90
75
VCC = 5 V
VRL = 1 V
F = 100赫兹
PW = 1毫秒
开关时间
测试电路
0.5
RL = 1KW
60
45
30
RL = 10KW
15
0
1
10
100
1000
0
2
LED = GaAIAs ,
l
= 890 nm的
VRL是RL两端的电压
4
6
8
10
测试条件:
光源脉冲与潮流的LED
和TF
£
500纳秒。
I F调整为VOUT = 1伏。
0.0
频率 - 千赫
R
L
- 负载电阻 - KW
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