SMT硅光电晶体管
OP522
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C除非另有说明
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
功耗
注意事项：
1.焊接时间不超过5秒，在极端的温度。
2.德率线性2.17毫瓦/ ° C以上25 ° C。
-40 ° C至+ 85°C
-25°C至+ 85°C
260° C
(1)
30 V
5V
20毫安
75毫瓦
(2)
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
C（ ON）
V
CE （ SAT ）
I
首席执行官
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） ECO
t
r
, t
f
3.
4.
参数
通态集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
上升和下降时间
民
0.5
典型值
最大
单位
mA
条件
V
CE
= 5.0V ，E
e
= 5.0mW /厘米
2 (3)
I
C
= 100μA ，E
e
= 2.0MW /厘米
2 (3)
V
CE
= 5.0V ，E
e
= 0
(4)
I
C
= 100µA
I
E
= 100µA
I
C
= 1毫安，R
L
= 1KΩ
0.4
100
30
5
15
V
nA
V
V
µs
光源是未过滤的GaAs具有935nm的峰值发射波长和辐射强度电平的变化小于LED
过光电晶体管的整个透镜表面的10％被测试。
(0.04 T -3/4)
计算典型的集电极暗电流在微安，使用式I
首席执行官
= 10
其中T
A
为环境温度，单位为° C。
A
相导通状态收藏家
电流与辐照度
160%
140%
归列于网上
e
= 5毫瓦/平方厘米
2
条件： V
CE
= 5V,
λ
= 935nm ，T
A
= 25
°C
相对的通态集电极电流
与温度的关系
140%
130%
归AT＆T
A
= 25°C .
条件： V
CE
= 5V,
λ
= 935nm ，T
A
= 25
°C
相对集电极电流
120%
100%
80%
60%
40%
20%
相对集电极电流
5.0
6.0
7.0
8.0
120%
110%
100%
90%
80%
70%
0
1.0
2.0
3.0
4.0
-25
0
25
50
75
100
EE -辐照度（毫瓦/平方厘米
2
)
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温度（℃）
1.1发行07.05
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