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     Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
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    FGP10N60UNDF

     IGBT，600V，10A，短路额定
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    GMD155R61A184KE12#

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    GRM21BC80G476ME15#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GQM2195G2H5R2DB12#

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    GQM0335C2D5R6WB01#

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    GQM22M5C2H9R8BB01#

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    GRM0225C1E5R2WA03#

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    FS150R17N3E4

     EconoPACK™ 3 1700 V，150 A 六单元 IGBT 模块，采用第四代快速TRENCHSTOP™ IGBT、第四代发射极控制二极管和NTC 温度检测 。还可提供采用压接技术的型号：FS150R17N3E4_B11.
    双极性晶体管二极管
    0 INFINEON

    GRM0115C1C5R1CE01#

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    PSMN1R0-30YLC

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    FSQ100

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    GRM188B31A474KC43#

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