类型HCT802 ， HCT802TX ， HCT802TXV
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
B
VDSS
V
TH
参数
漏源击穿
栅极阈值电压
设备
B =两个
B
N
P
I
GSS
I
DSS
门体漏
零栅极电压漏极电流
B
B
B
I
D（上）
通态漏电流
N
P
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
G
fs
正向跨导
B
N
P
C
国际空间站
输入电容
N
P
C
OSS
共源输出电容
tance
反向传输电容
N
P
N
P
t
（上）
导通时间
N
P
t
（关闭）
关断时间
N
P
*反极性的P沟道器件
170
200
70
150
40
60
10
25
15
50
17
50
1.5
-1.1
5
民
90*
0.75
-2.0
2.5
-4.5
±100
10*
500*
最大
单位
V
V
V
nA
µA
µA
A
A
Ω
测试条件
I
D
= 10
µA*,
V
GS
= 0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= -1毫安
V
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 90 V*, V
GS
= 0 V
TJ = 150
o
C
V
DS
= 25 V, V
GS
= 10 V
V
DS
= -15 V, V
GS
= -10 V
V
GS
= 10 V * ，我
D
= 1 A*
mmho V
DS
= 25 V，I
D
= 0.5 A
mmho V
DS
= -10 V，I
D
= -0.5 A
pf
pf
pf
pf
pf
pf
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 ， F = 1兆赫
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 ， F = 1兆赫
V
DD
= 25 V，I
D
= 1 ，R
L
= 50
Ω
V
DD
= -25 V，I
D
= -0.5 A，R
L
= 50
Ω
V
DD
= 25 V，I
D
= 1 ，R
L
= 50
Ω
V
DD
= -25 V，I
D
= -0.5 A，R
L
= 50
Ω
C
RSS
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