产品公告HCT802
1996年9月
双增强模式MOSFET
类型HCT802 ， HCT802TX ， HCT802TXV
特点
•
6垫表面贴装封装
•
V
DS
= 90V
•
R
DS （ ON）
<5Ω
•
I
D（上）
N沟道= 1.5A
•
选择V两个设备
DS
, I
D（上）
•
全TX处理可用
•
镀金触点
描述
HCT802提供了一个N沟道和P
在一个密闭型沟道MOS晶体管
陶瓷表面贴装封装。该
使用的设备是类似于工业
标准2N6661 N沟道器件
和VP1008 P沟道器件。这些
2增强型MOSFET，
尤其是非常匹配的V
DS
,
I
DS （ ON）
, R
DS （ ON）
和G
fs
.
为了HCT802TX每处理
MIL -PRF- 19500 。典型的筛选
并提供了大量的验收测试
在13-4页。 TX的产品获得
V
GS
HTRB为16V时为48小时。在150
o
C和一个V
DS
HTRB 72 V为160小时。
在150
o
C.
和R
DS （ ON）
相似
P沟道= 1.1A
绝对最大额定值
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 V
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20
V
漏电流（由TJ最大限制） N沟道。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
P沟道。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.1
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
功耗
T
A
= 25
o
C（两款器件同样驱动） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5瓦总
T
S
= 25
o
C（两款器件同样驱动） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5瓦总
(1)
（TS =底物，该包被焊接到）
笔记
（ 1 ）这个等级是作为一种辅助的设计师。它取决于安装材料及
方法，而不是作为可测量传出的测试。
欧思科技公司
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15-34
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