产品公告HCT7000M
1996年1月
N沟道增强型MOS晶体管
类型HCT7000M ， HCT7000MTX ， HCT7000MTXV
特点
•
200毫安我
D
•
超小型表面贴装封装
•
R
DS （ ON）
＆ LT ;
5Ω
•
引脚输出与大多数SOT23封装兼容
MOSFET的
绝对最大额定值
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60 V
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±40
V
漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
功率耗散（T
A
= 25
o
C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
功率耗散（T
S(1)
= 25
o
C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
(2)
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
热阻R
∅
JC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
o
C / W
热阻R
∅
JA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 583
o
C / W
注意事项：
(1) T
S
=使载片安装在基片上的温度。
（ 2 ）该评级是作为一种辅助的设计师。它取决于安装材料及
的方法，是不能测定作为出试验。
描述
该HCT7000M是一种高性能
增强型N沟道MOS
晶体管芯片封装在超
小3针陶瓷LCC封装。
电特性类似于
那些JEDEC 2N7000的。该引脚
出来，足迹匹配的最
增强型MOS晶体管
建于SOT23塑料封装。
该HCT7000M可经过加工
为TX和TXV每MIL- PRF-水平
19500订购HCT7000MTX或
HCT7000MTXV 。典型的筛选和
提供对大量的验收测试
第13-4页。 TX和热力膨胀阀产品
收到一个V
GS
HTRB 24 V时为48小时。
在150
o
C和一个V
DS
HTRB在48 V的
260小时。在150
o
C.
欧思科技公司
1215 W.克罗斯比路
卡罗尔顿，德克萨斯州75006
15-36
(972) 323-2200
传真：（ 972 ） 323-2396
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