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    ULN2003ADR2G 参数 Datasheet PDF下载

    ULN2003ADR2G图片预览
    型号： ULN2003ADR2G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高电压，大电流达林顿晶体管阵列 [High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 5 页 / 78 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号ULN2003ADR2G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ULN2003ADR2G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ULN2003ADR2G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ULN2003ADR2G的Datasheet PDF文件第5页  
    ULN2003A ， ULQ2003A
    最大额定值
    (T
    A
    = 25 ℃，和等级适用于任何一台设备中的包中，除非另有说明。 ）
    等级
    输出电压
    输入电压
    连续集电极电流 -
    基极电流 - 连续
    工作环境温度范围
    ULN2003A
    ULQ2003A
    存储温度范围
    结温
    热阻，结到环境
    751B的情况下，D后缀
    热阻，结到外壳
    751B的情况下，D后缀
    静电放电敏感度（ ESD ）
    人体模型（ HBM ）
    机器模型（ MM ）
    带电器件模型（ CDM）
    符号
    V
    O
    V
    I
    I
    C
    I
    B
    T
    A
    -20至+85
    -40至+85
    T
    英镑
    T
    J
    R
    qJA
    100
    R
    QJC
    20
    ESD
    2000
    400
    1500
    V
    ° C / W
    -55到+150
    150
    °C
    °C
    ° C / W
    价值
    50
    30
    500
    25
    单位
    V
    V
    mA
    mA
    °C
    强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
    推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
    器件的可靠性。
    http://onsemi.com
    2

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