UC3844 ， UC2844 45 ， 45
图24. MOSFET的寄生振荡
VCC
7(12)
+
–
VIN
+
0
+
–
7(11)
Rg
T
–
+
Q
R
COMP / LATCH
S
6(10)
5(8)
3(5)
RS
串联栅极电阻RG将受潮的高频寄生振荡
所造成的MOSFET的输入电容和任何系列布线电感
在栅极 - 源极电路。
Q1
Q1
6(1)
5(8)
3(5)
RS
图腾柱输出可提供负基极电流增强
晶体管关断，以增加电容器C1。
–
基地负责人
切除
C1
图25.双极晶体管驱动
IB
VIN
5.0Vref
+
–
+
–
图26.隔离式MOSFET驱动器
VCC
7(12)
+
–
隔离
边界
Q1
+
0
–
VGS波形
+
0
–
VIN
图27.锁存关断
8(14)
R
BIAS
R
OSC
5.0Vref
+
–
T
–
+
+
–
+
–
7(11)
6(10)
5(8)
S
Q
R
COMP / LATCH
IPK =
R
NS
3(5) C
RS
Np
图28.误差放大器补偿
从VO
Ri
Rd
CI
2(3)
Rf
1(1)
Rf
≥
8.8 k
5(9)
2.5V
+
–
EA
+
1.0mA
2R
R
对于任何稳定的电流模式拓扑结构，除了误差放大器补偿电路
升压和反激式转换器工作在连续电感电流。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
ÉÉ É
ÉÉ ÉÉ
É É
50 ％的DC
25 ％的DC
NP
NS
V（引脚1 ） - 1.4
3 RS
MCR
101
2N
3905
从VO
Rp
Cp
Ri
Rd
CI
2(3)
Rf
1(1)
4(7)
+
–
2(3)
1(1)
EA
+
1.0mA
2R
R
5(9)
2N
3903
该MCR101可控硅必须选择小于0.5毫安保持在
TA （分钟） 。简单的双晶体管电路来代替可控硅作为用于
如图所示。所有的电阻10千。
2.5V
+
–
EA
+
1.0mA
2R
R
5(9)
为稳定电流模式升压和反激式误差放大器补偿电路
拓扑连续电感电流工作。
11
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
