UC3842B ， UC2842B 43B ，43B
欠压锁定
两个欠压锁定比较已
掺入保证该集成电路是全功能的前
输出级被使能。电源的正极
端子（Vcc ）和所述参考输出（ Vref）时各自
由独立的比较器监测。每个人都有内置的
滞后防止不稳定的输出行为的
相应的阈值交叉。在VCC比较
上和下阈值是16伏/ 10伏的UCX842B ，
和8.4 V / 7.6 V的UCX843B 。在VREF比较高
和更低的阈值是3.6 V / 3.4 V的大滞后
和UCX842B的低启动电流特性，非常
适用于离线转换器的应用中高效
引导启动的技术是必需的（图33） 。该
UCX843B是用于低电压的DC- DC转换器
应用程序。 A 36 V稳压连接成并联稳压器
从VCC到地。其目的是为了保护IC免受
过高的电压可能发生在系统启动过程。该
的最小工作电压（VCC）的UCX842B是11V电压
和8.2 V的UCX843B 。
这些设备包含一个单一的图腾柱输出级
这是专为电力直接驱动设计
的MOSFET。它是能够达到的
±1.0
峰值驱动电流和
具有50 ns的有1.0 nF的负载一个典型的上升和下降时间。
附加的内部电路已被添加到保持
输出一个下沉模式时欠压锁定
是活动的。这个特性消除了对一个
外部下拉电阻。
在SO- 14表面贴装封装提供了独立的
引脚VC （输出电源）和电源地。正确
实施将显著减少开关的水平
施加在控制电路的瞬态噪声。这
当降低lPK的（最大）夹尤为有用
的水平。独立的VC电源输入允许设计师
在剪裁的驱动电压无关增加灵活性
VCC 。齐纳二极管钳位通常连接到该输入时
驱动功率MOSFET的系统中VCC大于
超过20 V.图25显示了合适的电源和控制地面
在电流检测功率MOSFET的连接
应用程序。
参考
5.0 V带隙基准修剪成
±1.0%
宽容在TJ = 25°C的UC284XB ，并
±2.0%
对
UC384XB 。其主要目的是为了提供充电电流
振荡器定时电容器。参考了短期
电路保护，并能提供在过量的
20毫安的供电额外的控制系统电路。
设计注意事项
不要试图构建器上
钢丝缠绕或插件原型板。
高频
电路布局技术是当务之急，以防止
脉宽抖动。这通常是由过量噪音造成的
接机施加于电流检测和电压反馈
输入。抗噪声能力可以通过降低电路的改进
阻抗在这些点。印刷电路应该布局
包含一个接地平面与低电流信号和
高电流开关和输出地返回上
独立的路径返回到输入滤波电容。陶瓷的
旁路电容（ 0.1
µF)
直接连接到VCC ，VC
和Vref可以根据电路布局要求。这
提供一个低阻抗路径，用于滤波高频
噪声。所有大电流回路应尽可能的短
10
可以使用重型铜运行，以尽量减少辐射EMI 。
误差放大器补偿电路和转换器
输出电压分压器应靠近IC和
尽可能从电源开关和其它
噪声发生部件。
电流模式转换器可表现为谐
当在占空比大于50 ％的振荡运行
连续电感电流。这种不稳定性是
独立的监管机构的闭环特性
并且是引起的同步操作条件
固定频率和峰值电流检测。图19A
显示图形化的现象。在t0时刻，开关管导通
开始时，使电感电流上升，在M1的斜率。
该斜率是输入电压的函数的由划分
电感。在t1时，电流检测输入到达
阈值由控制电压建立的。这将导致
切换到关断，电流衰减在平方米的斜率，
直到下一个振荡周期。不稳定的条件可以是
如果一个扰动加到控制电压所示，
导致小
∆I
（虚线） 。有一个固定的振荡器
期间，电流衰减时间减少，并且最小
电流在开关接通（ t2的）增加
∆I
+
∆I
m2/m1.
在下一周期（ t3的）最小电流减小到（ ΔI +
∆I
2 / M 1 ）（ M 2 / M ） 。这个扰动乘以2 / M1
每个成功的周期，交替上升，
减小电感电流在开关导通。几个
振荡周期可能需要电感电流之前
达到零导致进程再次开始。如果
2 / m1为大于1时，转换器将是不稳定的。身材
图19B显示，通过添加人工斜坡即
与PWM时钟的控制电压同步，则
∆I
扰动将减少到零上成功的周期。
此斜坡补偿（立方米）必须有一个斜率等于或
略大于2/ 2为稳定。用M2 / 2斜率
补偿，平均电感电流跟随
控制电压，从而产生真正的电流模式操作。该
斜坡补偿可以从振荡器导出和
添加到任何电压反馈和电流检测
输入端（图32）。
图19.连续电流波形
∆I
控制电压
感应器
当前
m1
m2
1
(A)
D
l
)
D
L M2
m
D
l
)
D
L M2
m
1
t2
(B)
m2
m1
t3
振荡器周期
t0
t1
控制电压
∆I
m3
m1
m2
振荡器周期
感应器
当前
t4
t5
t6
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
