UC3842B ， UC3843B ， UC2842B ， UC2843B
电气特性
(V
CC
= 15 V [注7] ，R
T
= 10 K，C
T
= 3.3 nF的。对于典型值T
A
= 25 ℃，最大/最小值
UC284XB ， UC2843D
特征
电流检测科
电流检测输入电压增益（注5,6 ）
UC2843D ， UC284XB ， UC384XB
UC384XBV
最大电流检测输入阈值（注5 ）
UC2843D ， UC284XB ， UC384XB
UC384XBV
电源抑制比（V
CC
= 12 V至25 V ，注5 ）
输入偏置电流
传播延迟（电流检测输入到输出）
输出部分
输出电压
低状态（我
SINK
= 20 mA）的
(I
SINK
= 200 mA）的
高邦
(I
来源
= 20 mA）的
(I
来源
= 200 mA）的
输出电压与UVLO激活（V
CC
= 6.0 V，I
SINK
= 1.0 mA）的
输出电压的上升时间（C
L
= 1.0 nF的，T
J
= 25°C)
输出电压下降时间（C
L
= 1.0 nF的，T
J
= 25°C)
欠压锁定部分
启动阈值（V
CC
)
UCX842B ， BV
UCX843B ， BV ，D
UCX842B ， BV
UCX843B ， BV ，D
V
th
15
7.8
9.0
7.0
16
8.4
10
7.6
17
9.0
11
8.2
14.5
7.8
8.5
7.0
16
8.4
10
7.6
17.5
9.0
11.5
8.2
V
V
OL （ UVLO ）
t
r
t
f
V
OL
V
OH
−
−
−
13
−
12
−
−
−
0.1
1.6
−
13.5
−
13.4
0.1
50
50
0.4
2.2
−
−
−
−
1.1
150
150
−
−
−
13
12.9
12
−
−
−
0.1
1.6
1.6
13.5
13.5
13.4
0.1
50
50
0.4
2.2
2.3
−
−
−
1.1
150
150
V
A
V
2.85
−
0.9
−
−
−
−
3.0
−
1.0
−
70
−
2.0
150
3.15
−
1.1
−
−
−10
300
2.85
2.85
0.9
0.85
−
−
−
3.0
3.0
1.0
1.0
70
−
2.0
150
3.15
3.25
1.1
1.1
−
−10
300
V/V
符号
民
典型值
最大
UC384XB ， XBV
民
典型值
最大
单位
T
A
是应用于〔注8 〕 ，除非另有说明，所述操作环境温度范围）。
V
th
V
PSRR
I
IB
t
PLH （输入/输出）
dB
mA
ns
UC284XB ， UC384XB
UC384XBV ， UC2843D
UC284XB ， UC384XB
UC384XBV ， UC2843D
V
ns
ns
最低工作电压在导通之后（V
CC
)
V
CC（分钟）
V
PWM节
占空比
最大UC284XB ， UC384XB ， UC2843D
最大
UC384XBV
最低
设备总
电源电流
启动（V
CC
= 6.5 V的UCX843B ， UC2843D
启动
V
CC
14 V的UCX842B ， BV ）
（注7 ）
电源稳压电压（I
CC
= 25 mA）的
5.该参数的测量是在用V闩触发点
FB
= 0 V.
6.比较器的增益定义为：一个
V
DV
输出补偿
7.调整V
CC
以上设置15 V.之前启动门槛
测试过程中使用8.低占空比的脉冲技术，以保持结点温度为接近环境成为可能。
T
低
= 0 ℃下UC3842B ， UC3843B ;
−25°C
为UC2842B ， UC2843B ;
−40°C
对于UC3842BV ， UC3843BV ， UC2843D
T
高
= + 70℃ UC3842B ， UC3843B ; + 85℃ UC2842B ， UC2843B ， UC2843D ; + 105℃ UC3842BV ， UC3843BV
DV
电流检测输入
DC
（最大）
DC
（分钟）
94
−
−
96
−
−
−
−
0
94
93
−
96
96
−
−
−
0
%
I
CC
+ I
C
−
−
0.3
12
36
0.5
17
−
−
−
30
0.3
12
36
0.5
17
−
mA
V
Z
30
V
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4
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
