UC3844B ， UC3845B ， UC2844B ， UC2845B
欠压锁定
两个欠压锁定比较已
掺入保证该集成电路是全功能
前的输出级被使能。正电源
电源端子（V
CC
）和参考输出（Ⅴ
REF
）是
由独立的比较器每个监控。每个人都有内置的
滞后防止不稳定的输出行为的
相应的阈值交叉。在V
CC
比较
上和下阈值是16伏/ 10伏的UCX844B ，
和8.4 V / 7.6 V的UCX845B 。在V
REF
比较
上限和下限是3.6 V / 3.4 V的大
在UCX844B的滞后和低启动电流，使
它非常适合于脱机转换器的应用中
有效的引导启动技术要求
（图30） 。该UCX845B是用于低电压
直流 - 直流转换器的应用程序。 A 36 V的稳压管连接成
从V分路调节器
CC
到地面。其目的是为了
保护IC免受过高电压时可能出现的
系统启动。的最小工作电压的
UCX844B为11 V和8.2 V的UCX845B 。
产量
设计者更大的灵活性剪裁的驱动电压
独立的V
CC
。齐纳二极管钳位通常连接
该输入在系统驱动功率MOSFET时，
其中，V
CC
大于20V。图23示出了适当的
电源和控制接地连接的电流检测
功率MOSFET的应用。
5.0 V带隙基准修剪成
±1.0%
宽容在T
J
= 25℃的UC284XB ，并
±2.0%
对
UC384XB 。其主要目的是为了提供充电电流
振荡器定时电容器。参考了
短路保护，且能够提供在
超过20毫安供电额外的控制系统
电路。
设计注意事项
参考
这些设备包含一个单一的图腾柱输出级，
是专为电力直接驱动设计
的MOSFET。它是能够达到的
±1.0
峰值驱动电流
并具有50 ns的有1.0 nF的负载一个典型的上升和下降时间。
附加的内部电路已被添加到保持
输出一个下沉模式时欠压锁定
是活动的。这个特性消除了对一个
外部下拉电阻。
该SOIC- 14表面贴装封装提供了独立的
引脚V
C
（输出电源）和电源地。正确
实施将显著降低的水平
切换强加给控制电路瞬态噪声。
这时候减少了我就变得特别有用
峰（最大值）
钳位电平。单独的V
C
电源输入允许
不要试图构建器上
钢丝缠绕或插件原型板。
高频
电路布局技术是当务之急，以防止
脉宽抖动。这通常是由过量噪音造成的
接机施加于电流检测和电压反馈
输入。抗噪声能力可以通过降低电路的改进
阻抗在这些点。印刷电路应该布局
包含一个接地平面与低电流信号和
高电流开关和输出地返回上
独立的路径返回到输入滤波电容。陶瓷的
旁路电容（ 0.1
MF）
直接连接到V
CC
, V
C
,
和V
REF
这取决于电路的布局可能是需要的。
这提供了一个低阻抗路径，用于过滤的高
频噪声。所有大电流回路应尽可能
使用重型铜运行，尽量减少短越好
辐射EMI 。误差放大器的补偿电路和
该转换器的输出电压分压器应靠近
给IC和尽可能从电源开关和
产生噪声的元件。
V
REF
8(14)
R
T
R
BIAS
R
R
B
6
OSC
C
T
0.01
外
SYNC
输入
EA
4(7)
+
2R
47
2(3)
R
C
5
2
5.0k
1
1(1)
5(9)
1(1)
要附加
UCX84XBs
5(9)
8(14)
R
A
8
5.0k
R
Q
S
4
3
R
BIAS
R
OSC
4(7)
7
2(3)
EA
5.0k
+
2R
R
MC1455
如果同步振幅足够大，以使该二极管钳位需要
C的底侧
T
去300mV以上地下。
f
+
1.44
（ RA
)
2RB)C
RA
D（最大）
+
RA
)
2RB
图18.外部时钟同步
图19.外部占空比钳位和
多单元同步
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10
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
