R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
TIP41A TIP41B TIP41C TIP42A TIP42B TIP42C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
单脉冲
0.02
0.05
1.0
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
10
0.5毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
1.0毫秒
TJ = 150℃
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ TC = 25°C
（单脉冲）
曲线适用于低于额定VCEO
5.0毫秒
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP42B
TIP41C ， TIP42C
40
10
20
60
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
80 100
0.1
5.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. T J （ pk）的可从数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图5.活动区安全工作区
5.0
3.0
2.0
1.0
T， TIME （
µ
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.06
tf
ts
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
300
TJ = 25°C
200
C，电容（pF ）
兴业银行
100
70
50
COB
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
30
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
VR ，反向电压（伏）
30
50
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
