TIP41A TIP41B TIP41C TIP42A TIP42B TIP42C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
500
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.06
VCE = 2.0 V
TJ = 150℃
25°C
2.0
TJ = 25°C
1.6
1.2
IC = 1.0
2.5 A
5.0 A
0.8
– 55°C
0.4
0
10
20
30
50
100
200 300
IB ，基极电流（毫安）
500
1000
0.1
0.2 0.3 0.4 0.6
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
2.0
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
TJ = 25°C
1.6
V，电压（V ）
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.06
0.1
0.2 0.3
0.5
θ
VB的VBE
- 55 °C至+ 25°C
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
*
θ
VC的VCE （SAT）
+ 25 ° C至+ 150°C
- 55 °C至+ 25°C
+ 25 ° C至+ 150°C
*适用于IC / IB
≤
hFE/4
1.2
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 4.0 V
0.4
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.06
0.1
0.2 0.3 0.4
0.6
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
0.8
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
R上，外部基极发射极电阻（欧姆）
图11.温度系数
103
IC ，集电极电流（
µ
A)
102
101
100
10–1
10–2
反向
IC = ICES
前锋
VCE = 30 V
TJ = 150℃
100°C
25°C
10 M
VCE = 30 V
1.0 M
IC
≈
冰
IC = 10× ICES
100 k
10 k
IC = 2× ICES
（典型ICES VALUES
购自图12）
20
40
60
80
100
120
140
160
1.0 k
10–3
– 0.3 – 0.2 – 0.1
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 + 0.6
+ 0.7
0.1 k
VBE ，基极发射极电压（伏）
TJ ，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
