TIP35A ， TIP35B ， TIP35C （ NPN ） ; TIP36A ， TIP36B ， TIP36C （ PNP ）
10
7.0
5.0
3.0
T， TIME （
μ
s)
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.3 0.5 0.7
t
f
t
s
t
f
1000
（ PNP）
（ NPN ）
t
s
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
500
200
的hFE ， DC电流增益
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（安培）
20
30
1.0
0.1
0.2
0.5
5.0 10
20
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1.0
2.0
50
100
PNP
NPN
V
CE
= 4.0 V
T
J
= 25°C
图4.开启，关闭时间
图5.直流电流增益
正向偏压
100
IC ，集电极电流（ AMPS ）
50
30
20
10
10毫秒
dc
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
− V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图6的数据是基于T
C
= 25°C ;吨
J（下PK）
is
变量取决于功率电平。二次击穿
脉冲限制是有效的占空比以10％，但必须是
降级当T
C
w
25_C 。二次击穿限制做
不减免一样的热限制。
反向偏置
300
ms
1.0毫秒
T
C
= 25°C
5.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0
1.0
二次击穿
热限制
焊线LIMIT
TIP35A ， 36A
TIP35B ， 36B
TIP35C ， 36C
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
为电感性负载，高电压和高电流必须
关断期间的同时持续，在大多数情况下，
与基极 - 射极结反向偏置。在这些
条件的集电极电压必须保持在安全水平
在等于或低于集电极电流的一个特定值。这可以是
通过以下几种方式，例如有源钳位， RC完成
不压井作业，载重线成型等。安全级别为这些
设备被指定为反向偏置安全工作区
并表示在电压 - 电流条件
反向偏置关断。这个等级下得到验证
夹紧条件，使该装置从未经受
雪崩模式。图7给出了RBSOA特性。
图6.最大额定正向偏置
安全工作区
40
30
25
20
15
10
TIP35A
TIP36A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
TIP35B
TIP36B
TIP35C
TIP36C
T
J
≤
100°C
5.0
0
图7.最大额定正向偏置
安全工作区
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4
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
